GaN
片低电流技术，并应用第三代半导体GaN，以及32位高速数字处理器，系统转换效率高达97.5%，居行业领先水平。随着全球光伏安装成本的大幅提高，SolarUnit一体化系统以标准化、模块化设计，大幅降低
6月14日-16日，蜂巢能源携全系储能产品首次亮相慕尼黑太阳能光伏展，并在展会期间首次面向全球发布了厚度仅为66mm的全球超薄家庭储能系统，以及与之配套的基于第三代半导体GaN芯片开发的高效超薄户储
首次面向全球发布了其在户储领域的核心创新产品——超薄户储逆变器。该户储逆变器是蜂巢能源子公司章鱼博士自主研发，基于第三代半导体GaN芯片开发的PCS产品，是全球首个基于氮化镓功率芯片的高能效PCS产品
。SolarUnit采用组件、逆变器一体化设计，真正实现光伏系统标准化、单元化，以及光伏电站免设计，系统安装更便捷。同时，SolarUnit采用大恒能源独特的三分片低电流技术，并应用第三代半导体GaN，以及32位高速
制造企业，积极推进SiC、GaN等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。依托比亚迪电子、中兴通讯、创维、华勤等企业，积极引进关键芯片、摄像头、天线、触控面板等相关配套企业，做大智能终端产业规模，加快
方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸SiC衬底和8英寸Si基GaN外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备、刻蚀设备
有限公司成立于2017年12月，注册资本金50亿元，是三安光电股份有限公司旗下全资子公司。泉州三安地处南安市石井半导体产业园，规划建设用地约2500亩，总投资333亿元。项目建设终期，将形成GaN业务
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块，进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
，800V平台逐渐成为新能源汽车最热门的话题之一，并有望助力为新能源汽车性能带来质的飞跃。此外，光伏领域也开始逐步导入GaN的应用，以满足更高功率、更高频率和更低损耗的发展需求。本届峰会设置了GaN与
后，彻底打破了原有格局，有悲观的厂商预计短期内快充市场或许会萎缩50%以上，如何提高充电效率留住消费者成为最紧迫的任务，智能快充也几乎成为了各方争奇斗艳的角力场。随着GaN技术的应用，当前市面上主流
发展方向是速度更快，功能更强，效率更高。功率器件材料发展较快，正在由传统硅基功率器件向宽禁带材料(SiC、GaN)功率器件发展，碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。可以这样比喻，硅基材料好比
在未来绿色能源技术的全球领导地位，同时助力美国2050年实现净零排放目标。本次资助主要聚焦十三大主题领域，具体内容如下：
1、建筑能效
研究新型基于氮化镓(GaN)半导体的直接发射绿光的发光二极管
一种突破性的无线充电系统，用于电动汽车的静态和动态充电，以大幅减少对昂贵和笨重的车载电池需求，提高续航里程，并加速电动汽车的普及。②开发基于GaN的二极管和晶体管的新一代电力电子产品，其性能将大大超
SLMi823x 非常适合 MOSFET/IGBT、SiC 和 GaN 场效应管的隔离驱动。 02 兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动SLMi33x系列 SLMi330CG-DG
