GaN
三菱电机展示了刚刚宣布将于2015年1月上市的产品。该公司表示，“据本公司调查，这将是全球首款采用SiC的光伏逆变器产品”。
光伏发电领域和铁路领域将进一步推进SiC及GaN等新一代功率半导体的采用。在2014年2月举行的智能电网展会第5届国际智能电网EXPO上
根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率（CAGR）达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变
索比光伏网讯:根据研究机构LuxResearch报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太
GaN Systems完成第二轮融资，助其开发氮化镓晶体管重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月
重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示现已完成了第二轮融资。在现有投资商Chrysalix Energy V
索比光伏网讯: AZZURRO半导体成立于2003年，具有专利的大直径硅基板氮化镓(GaN-on-Si)技术，该技术源自德国Magdeburg大学，在201
日本京都工艺纤维大学试制的太阳能电池单元（右）。在p型GaN薄膜中添加Co，并层叠n型材料。带吸收层的电池单元的尺寸为10mm见方
三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管（SBD）和常闭型的FET（场效应晶体管），并确认可在电源电路上正常工作。而且还
