GaN

国家863项目（如半导体白光照明GaN生长的HVPE设备等）及相关的国家重点项目等。主要产品：氧化扩散炉系列、LPCVD系统、PECVD系统、HVPE系统、MOCVD系统、RTP快速热处理、气瓶柜、半导体

因格子形状的差异以及可使用的半导体材料存在限制，很难大幅提高转换效率。　　日本物质及材料研究机构的研究小组注意到，GaN的结构与InN相同，而且工作波长范围包含了太阳光的所有波长。该研究小组认为

已得到广泛采用的SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等新一代功率半导体电力损耗少，因此也有望应用于EV的控制器和光伏发电系统的电源调节器（PCS）等领域。但为投放市场需要进行评价试验，检测导通电阻、耐压

根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率（CAGR）达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变

索比光伏网讯:根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元
，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的

了太阳能电池和蓄电池的功率调节器的产品。使产品小型化以便于采用关于功率调节器的差异化技术，厂商正在研究配备效率比现有硅功率元件高的GaN和SiC功率元件。其中，安川电机公司计划在2014年内上市配备GaN
27%(图7)注4)。图7：利用GaN和SiC提高效率厂商目前正在研究采用新的功率半导体提高电力转换效率。安川电机将于2014年上市配备GaN的功率调节器(a)。田渊电机公开了配备SiC的试制品(b

宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
光伏逆变器的应用特性，掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术，并在光伏系统中示范应用。科技部要求申报单位需按要求完成网上申报，并通过各推荐主体报送正式文件。为避免集中申报受理造成

基光电子学，主要包括晶体硅太阳电池、红外探测器、导波光学、GaN-LED、电子显微学。在国内外重要学术刊物上发表论文77篇，专利授权9项、专利公示6项。为全国电子学会高级会员，全国光伏学会、物理学会、材料学会会员。

GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。宇宙光伏发电系统使用相控阵天线（PhasedArrayAntenna）向地面发送放大的微波。相控阵天线是气象雷达及飞机雷达等采用的技术，将多个小型天线排列在

如何影响这些系统？MLPM系统的芯片含量高于常规变频器。微型变频器也采用了一些最先进的半导体技术，如GaN功率器件。大量采用芯片实际上有利于这些系统，芯片技术不断发展促进功能集成和降低功耗，从而帮助这些