),太阳能逆变器制造商正在采用氮化镓(GaN)技术,因为它能够以更高频率切换。较高频率减小了微逆变器和太阳能优化器应用中的大型磁性元件的尺寸。
DC/AC级或次级通常使用H桥拓扑;对于微逆变器,轨道电压
,其中基本隔离可能就已足够。UCC21220采用第二代电容隔离技术,通过芯片缩小降低成本,不仅可通过提供28ns的典型传播延迟来提高效率,还可降低印刷电路板(PCB)空间和系统成本。
TI的GaN
半导体器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN蓝光LED)市场的不断扩大,MOCVD系统的需求量不断增长。目前国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有:德国Aixtron公司、美国的
Emcore MOCVD系统占绝大多数,有少量的 Thomas Swan MOCVD系统、法国ASM MOCVD系统和日本RIPPON SANSO MOCVD系统,主要用于GaN LD/LED的研究和制造。
、显示幕、LCD背光和工业领域的LED晶片产品。晶能光电集团是拥有硅衬底GaN外延生长和晶片加工技术的世界级领跑者,是全球第一家量产高功率、高性能的硅衬底LED晶片公司。晶能光电集团拥有颠覆性的六寸和
带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类,国拨经费控制额800万元,企业牵头)研制碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子芯片和器件,研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
光伏逆变器的应用特性,掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术,并在光伏系统中示范应用。科技部要求申报单位需按要求完成网上申报,并通过各推荐主体报送正式文件。为避免集中申报受理造成拥堵
客户提供低碳节能的综合解决方案。LED照明业务: 在2015年8月,公司收购硅衬底GaN LED技术的领跑者 -- 晶能光电有限公司的59%股本权益,以扩大业务至LED照明,及进一步完善集团为顾客提供的
以石墨烯为中间层在硅(100)面上形成的GaN结晶。SEM图像。西班牙Graphenea公司2014年7月25日宣布,与日本立命馆大学等共同实现了GaN结
索比光伏网讯:安川电机公司12月11日宣布,配备GaN(氮化镓)功率半导体模块的住宅用室内设置型光伏逆变器(PCS)将将开始销售。
安川电机公司12月11日宣布,配备GaN(氮化镓)功率半导体模块的住宅用室内设置型光伏逆变器(PCS)将将开始销售。光伏发电用PCS采用GaN功率
三菱电机展示了刚刚宣布将于2015年1月上市的产品。该公司表示,“据本公司调查,这将是全球首款采用SiC的光伏逆变器产品”。
光伏发电领域和铁路领域将进一步推进SiC及GaN等新一代功率半导体的采用。在2014年2月举行的智能电网展会第5届国际智能电网EXPO上