GaN

、显示幕、LCD背光和工业领域的LED晶片产品。晶能光电集团是拥有硅衬底GaN外延生长和晶片加工技术的世界级领跑者，是全球第一家量产高功率、高性能的硅衬底LED晶片公司。晶能光电集团拥有颠覆性的六寸和

带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
光伏逆变器的应用特性，掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术，并在光伏系统中示范应用。科技部要求申报单位需按要求完成网上申报，并通过各推荐主体报送正式文件。为避免集中申报受理造成拥堵

客户提供低碳节能的综合解决方案。LED照明业务: 在2015年8月，公司收购硅衬底GaN LED技术的领跑者 -- 晶能光电有限公司的59%股本权益，以扩大业务至LED照明，及进一步完善集团为顾客提供的

索比光伏网讯:以石墨烯为中间层在硅（100）面上形成的GaN结晶。SEM图像。西班牙Graphenea公司2014年7月25日宣布，与日本立命馆大学等共同实现了GaN结晶在硅（100）面上的生长
National University）、韩国东国大学（Dongguk University）及西班牙Graphenea公司。在硅（100）面上直接生长缺陷少的GaN结晶时非常困难，几乎没有成功先例。以前在

，以前采用的结构因格子形状的差异以及可使用的半导体材料存在限制，很难大幅提高转换效率。 日本物质及材料研究机构的研究小组注意到，GaN的结构与InN相同，而且工作波长范围包含了太阳光的所有波长。该研究小组

，结合了GaN、单层六方氮化硼和石墨烯气凝胶。[/page8．基于溶液处理自组织多量子阱（MQW）的钙钛矿发光二极管（LED） （Nature PhotonicsDOI： 10．1038

，我们能够创造一个系统。在水蒸发的过程中，这个系统几乎能够最大程度地使用太阳能，研究领导者Qiaoqiang Gan在一份声明中说，他是布法罗大学的工程和应用科学学院电子工程系副教授。同时，我们在整个

MOSFET和基于GaN HEMT的两种光伏直流升压变流模块;以及三个研究平台，具体为：30kV/5MW大型光伏直流并网接入实证研究平台、30kV/500kW光伏直流升压变流器实验研究平台、基于RTDS的全