GaN

继续负责所有中央工程支持服务以及业务开发和产品管理。首席技术官P.S. Raghavan博士将继续领导碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）应用技术的开发。GTAT还强调，HiCz多晶硅产品最终的开发及测试

0.9V，填充因子（FF）为0.8。据荒川介绍，今后将把量子点的母材换成带隙大于GaAs的GaN和InGaAsP，同时还将优化量子点的层叠数和母材质量，希望能使单元转换效率提高至30～40％。除了上述

领导公司在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)，以及其他新兴晶体技术领域日益扩大的重点业务，充分利用极特先进科技公司的核心能力，为公司的多元化战略提供支持。 Gutierrez最后总结说：这些举措的目的是

，这座位于Charanka村庄的电站定于今年8月并入电网。　　2.7、GaN Systems完成第二轮融资重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示

　　　　GaN Systems完成第二轮融资，助其开发氮化镓晶体管重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示现已完成了第二轮融资。在现有投资商
Chrysalix Energy Venture Capital和RockPort Capital的带领下，该公司指出此轮融资是初期发展的一个里程碑。但该公司没有透露第二轮融资获得的具体金额。GaN Systems的

索比光伏网讯:重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示现已完成了第二轮融资。在现有投资商Chrysalix Energy Venture Capital和
RockPort Capital的带领下，该公司指出此轮融资是初期发展的一个里程碑。但该公司没有透露第二轮融资获得的具体金额。GaN Systems的首席执行官Girvan Patterson说：此轮

（GaN）和砷化镓（GaAs）技术造出新型高功率高性能产品。　　IMM生长系统IMM的能力来自于电池的生长过程这一技术颠复3结电池的通常顺序，先沈积顶层，最后是底层。与传统光伏电池不同，IMM使用了磷化镓铟

集团将采用业界领先的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)技术造出新型高功率高性能产品。IMM生长系统IMM的能力来自于电池的生长过程这一技术颠复3结电池的通常顺序，先沈积顶层，最后是底层。与传统光伏电池

(Multi-Market Products Group) 并驾齐驱。新集团将采用业界领先的氮化镓(GaN) 和砷化镓(GaAs) 技术造出新型高功率高性能产品。IMM 生长系统IMM 的能力来自于电池的生长过程这一

设计。 　　此次开发的太阳能电池单元的开路电压为0.9V，填充因子（FF）为0.8。据荒川介绍，今后将把量子点的母材换成带隙大于GaAs的GaN和InGaAsP，同时还将优化量子点的层叠数和母材质