GaN

瑞萨电子公司作为全球领先的先进半导体解决方案供应商，近日发布了业界首款基于耗尽型（d-mode）氮化镓（GaN）技术的双向开关。该器件集成了直流阻断功能，可在单一设备中同时阻断正负电流。产品主要针对单级太阳能微型逆变器、人工智能数据中心以及车载充电机应用。这款高压型号 TP65B110HRU 大幅简化了功率转换器设计，用单个低损耗、快速切换且易于驱动的设备取代了传统的背靠背 FET 开关。 单级拓扑提升效率，减少元件数量。当前的高功率转换设计通常采用单向硅或碳化硅（SiC）开关，这些开关在关断状态下仅能阻断单一方向的电流。因此，功率转换必须划分为多个阶段，包含多个开关桥式电路。例如，典型的太阳...

日本东京的瑞萨电子株式会社推出了业界首款基于耗尽型（d-mode）GaN 技术的双向开关。该器件能在单个设备中同时阻断正负电流，并集成直流阻断功能。 该产品主要针对单级太阳能微型逆变器、AI 数据中心以及车载电动车充电器市场。高压型号 TP65B110HRU 简化了功率转换器设计，用单个低损耗、快速开关且易于驱动的设备，取代了传统的背对背 FET 开关组合。 现有大功率转换设计通常使用单向硅或碳化硅（SiC）开关，这类开关在关闭状态下仅能阻断一个方向的电流。因此，功率转换必须分为多个阶段，包含多个切换桥电路。例如，典型的太阳能微型逆变器在第一级使用四开关全桥将直流转换为直流，随后第二级再产生最...

导语：效率、安全、成本——光储充产业面临“三座大山”。如何破局关键元器件?6月26日，东莞虎门，TI、瑞萨等全球顶尖专家深度解析SiC/GaN、磁性材料、散热集成等技术难题，共探产业升级路径。在
解决方案当前，光储充产业正处于技术迭代与市场扩张的关键阶段，高效能量转换、系统协同控制、核心材料创新等成为制约产业发展的核心瓶颈。能量转换上，传统硅基器件效率逼近极限，SiC/GaN等新材料协同设计不足

对模型进行训练、评估、优化及性能评估。能够构建、训练和评估生成对抗网络(GAN)和变分自编码器(VAE)等生成模型，用于新材料结构的生成与性能优化。具备构建、训练和评估机器学习模型以预测材料力学
：介绍生成模型的基本概念，如概率生成模型和条件生成模型，解释它们如何用于材料结构和性能的生成。生成对抗网络(GAN) ：讲解 GAN 的原理，包括生成器和判别器的对抗训练过程，以及如何通过 GAN

、募集资金投资用途及投 资规模不发生变更的情况下，公司根据目前募投项目的实施进展，拟对募投项目 “第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”达到预定可使用状态 的日期延期至2025年8月。该事项无需提交股东大会审议。