GaN

索比光伏网讯:光伏发电领域和铁路领域将进一步推进SiC及GaN等新一代功率半导体的采用。在2014年2月举行的智能电网展会第5届国际智能电网EXPO上，相关企业纷纷展示了预定2014～2015年前
后实现产品化的开发品。这些产品通过采用损耗比硅低的SiC和GaN功率半导体元件，均实现了高效率和小型化。确保JET认证的水平欧姆龙开发出了二极管和晶体管都采用SiC、输出功率为5.9kW的全SiC功率

国家863项目（如半导体白光照明GaN生长的HVPE设备等）及相关的国家重点项目等。主要产品：氧化扩散炉系列、LPCVD系统、PECVD系统、HVPE系统、MOCVD系统、RTP快速热处理、气瓶柜、半导体

物质及材料研究机构的研究小组注意到，GaN的结构与InN相同，而且工作波长范围包含了太阳光的所有波长。该研究小组认为，如果能够以调整了In成分的窒化氮化铟镓（InxGa1-xN）混晶为中心形成中间带

因格子形状的差异以及可使用的半导体材料存在限制，很难大幅提高转换效率。　　日本物质及材料研究机构的研究小组注意到，GaN的结构与InN相同，而且工作波长范围包含了太阳光的所有波长。该研究小组认为

已得到广泛采用的SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等新一代功率半导体电力损耗少，因此也有望应用于EV的控制器和光伏发电系统的电源调节器（PCS）等领域。但为投放市场需要进行评价试验，检测导通电阻、耐压

？ 另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国IGBT行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了SIC和GaN宽

根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合
增长率（CAGR）达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变器

索比光伏网讯:根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元
，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的

了太阳能电池和蓄电池的功率调节器的产品。使产品小型化以便于采用关于功率调节器的差异化技术，厂商正在研究配备效率比现有硅功率元件高的GaN和SiC功率元件。其中，安川电机公司计划在2014年内上市配备GaN
27%(图7)注4)。图7：利用GaN和SiC提高效率厂商目前正在研究采用新的功率半导体提高电力转换效率。安川电机将于2014年上市配备GaN的功率调节器(a)。田渊电机公开了配备SiC的试制品(b