GaN

宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
光伏逆变器的应用特性，掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术，并在光伏系统中示范应用。科技部要求申报单位需按要求完成网上申报，并通过各推荐主体报送正式文件。为避免集中申报受理造成

生产线。 2. 基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级

基光电子学，主要包括晶体硅太阳电池、红外探测器、导波光学、GaN-LED、电子显微学。在国内外重要学术刊物上发表论文77篇，专利授权9项、专利公示6项。为全国电子学会高级会员，全国光伏学会、物理学会、材料学会会员。

GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。宇宙光伏发电系统使用相控阵天线（PhasedArrayAntenna）向地面发送放大的微波。相控阵天线是气象雷达及飞机雷达等采用的技术，将多个小型天线排列在

磁控管。这是因为其构造简单，可以输出高效率微波。而且，宇宙天线可利用放大器将发生器产生的微波传送至天线。放大器考虑使用可高频运行的GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。 宇宙

如何影响这些系统？MLPM系统的芯片含量高于常规变频器。微型变频器也采用了一些最先进的半导体技术，如GaN功率器件。大量采用芯片实际上有利于这些系统，芯片技术不断发展促进功能集成和降低功耗，从而帮助这些

继续负责所有中央工程支持服务以及业务开发和产品管理。首席技术官P.S. Raghavan博士将继续领导碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）应用技术的开发。GTAT还强调，HiCz多晶硅产品最终的开发及测试

0.9V，填充因子（FF）为0.8。据荒川介绍，今后将把量子点的母材换成带隙大于GaAs的GaN和InGaAsP，同时还将优化量子点的层叠数和母材质量，希望能使单元转换效率提高至30～40％。除了上述

领导公司在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)，以及其他新兴晶体技术领域日益扩大的重点业务，充分利用极特先进科技公司的核心能力，为公司的多元化战略提供支持。 Gutierrez最后总结说：这些举措的目的是

，这座位于Charanka村庄的电站定于今年8月并入电网。　　2.7、GaN Systems完成第二轮融资重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示