GaN

　　　　GaN Systems完成第二轮融资，助其开发氮化镓晶体管重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示现已完成了第二轮融资。在现有投资商
Chrysalix Energy Venture Capital和RockPort Capital的带领下，该公司指出此轮融资是初期发展的一个里程碑。但该公司没有透露第二轮融资获得的具体金额。GaN Systems的

索比光伏网讯:重点放在光伏逆变器业务上的GaN Systems公司，在第一轮融资结束6个月后表示现已完成了第二轮融资。在现有投资商Chrysalix Energy Venture Capital和
RockPort Capital的带领下，该公司指出此轮融资是初期发展的一个里程碑。但该公司没有透露第二轮融资获得的具体金额。GaN Systems的首席执行官Girvan Patterson说：此轮

（GaN）和砷化镓（GaAs）技术造出新型高功率高性能产品。　　IMM生长系统IMM的能力来自于电池的生长过程这一技术颠复3结电池的通常顺序，先沈积顶层，最后是底层。与传统光伏电池不同，IMM使用了磷化镓铟

) 并驾齐驱。新集团将采用业界领先的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)技术造出新型高功率高性能产品。 IMM生长系统 IMM的能力来自于电池的生长过程这一技术颠复3结电池的通常顺序，先

集团将采用业界领先的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)技术造出新型高功率高性能产品。IMM生长系统IMM的能力来自于电池的生长过程这一技术颠复3结电池的通常顺序，先沈积顶层，最后是底层。与传统光伏电池

(Multi-Market Products Group) 并驾齐驱。新集团将采用业界领先的氮化镓(GaN) 和砷化镓(GaAs) 技术造出新型高功率高性能产品。IMM 生长系统IMM 的能力来自于电池的生长过程这一

设计。 　　此次开发的太阳能电池单元的开路电压为0.9V，填充因子（FF）为0.8。据荒川介绍，今后将把量子点的母材换成带隙大于GaAs的GaN和InGaAsP，同时还将优化量子点的层叠数和母材质

,进口30台MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积)设备,主要来自美国、德国、日本。项目于2012年投产后可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片、背光芯片46亿颗、照明芯片3.9亿颗的生产规模。项目

一个专门进行纳米尺度半导体技术研发的组织，Global Foundries加入的项目包括亚22nmCMOS制程技术研究，以及基于200mm规格晶圆衬底的硅上GaN型器件技术研究两项。其中后一项工作预计

索比光伏网讯: AZZURRO半导体成立于2003年，具有专利的大直径硅基板氮化镓(GaN-on-Si)技术，该技术源自德国Magdeburg大学，在2010年10月获得包括 Wellington
达到2.7万片晶圆的产能。注：运用AZZURRO的专利应力控制技术，能准确控制硅基板上GaN薄膜的曲度。LED是一个成长快速的市场，市场规模超过110亿美元，不管是电视、笔电和行动装置用的背光设计