GaN
工艺水平，提升电子级硅材料及硅片自主配套能力。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计
。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计和工艺到模块及电路应用的宽禁带半导体
和工业部部长Gan Kim Yong表示，新加坡计划至2035年进口高达4GW的电力，这在其供电总量中的占比约为三分之一。"目前，大部分的新加坡供电无论如何都是要进口的。
Sunseap联合体
表示，它的目标是助力实现4GW进口低碳电力的20-25%。7GWp产能将分阶段建成，项目发电量将与新加坡所需的进口量相匹配。
Gan Kim Yong昨天公布的这一消息也受到了Sun Cable
(GaN) 材料的紧凑型电源开关和实时微型计算机允许修改双向转换器以适应各种直流储能单元。见图 2。
图2.电池充电和放电应用的平滑双向操作
4.双有源桥式DC/DC转换器设计
SiC 和 GaN 等宽带隙半导体在解决电源转换系统方面发挥着重要作用，这些系统可以处理随着转换器增加功率密度和降低开关损耗而不断上升的电池电压范围。... 电源转换系统还允许电池组更好地管理
绿色数据中心；开发下一代云软件、云平台以替代现有的基于半导体的实体软件和平台；开展下一代先进的低功耗半导体器件（如GaN、SiC等）及其封装技术研发，并开展生产线示范。 7、船舶产业 发展目标
替代现有的基于半导体的实体软件和平台;开展下一代先进的低功耗半导体器件(如GaN、SiC等)及其封装技术研发，并开展生产线示范。 7、船舶产业 发展目标：在2025-2030年间开始实现零排放船舶
工程技术总监 叶念慈 下午的会议有索比光伏的创始人曹宇主持，厦门三安集成电路有限公司应用工程技术总监叶念慈做专题报告：第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度
/DC转换。
鉴于减小尺寸是一个优先事项(因此微逆变器和功率优化器将适合光伏系统的后端)，太阳能逆变器制造商正在采用氮化镓(GaN)技术，因为它能够以更高频率切换。较高频率减小了微逆变器和太阳能优化器
采用第二代电容隔离技术，通过芯片缩小降低成本，不仅可通过提供28ns的典型传播延迟来提高效率，还可降低印刷电路板(PCB)空间和系统成本。
TI的GaN技术使DC/DC升压和DC/AC倒相级的工作频率
)，太阳能逆变器制造商正在采用氮化镓(GaN)技术，因为它能够以更高频率切换。较高频率减小了微逆变器和太阳能优化器应用中的大型磁性元件的尺寸。
DC/AC级或次级通常使用H桥拓扑;对于微逆变器，轨道电压
，其中基本隔离可能就已足够。UCC21220采用第二代电容隔离技术，通过芯片缩小降低成本，不仅可通过提供28ns的典型传播延迟来提高效率，还可降低印刷电路板(PCB)空间和系统成本。
TI的GaN
半导体器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN蓝光LED)市场的不断扩大，MOCVD系统的需求量不断增长。目前国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有:德国Aixtron公司、美国的
Emcore MOCVD系统占绝大多数，有少量的 Thomas Swan MOCVD系统、法国ASM MOCVD系统和日本RIPPON SANSO MOCVD系统，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。
