钝化层
实验
采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法
单面镀膜SiNx∶H钝化，以及背面电极、背面电场和正面栅线电极印刷，最后经过高温烧结形成较好的欧姆接触。
利用苏州中导光电设备有限公司生产的红外缺陷测试仪EL-S01对生产线上电池片进行测试
摘 要：新型无醇添加剂碱溶液制绒可使硅表面形成1~3 m 的金字塔结构;通过对制绒过程研究，硅表面损伤层在250~500 s 被腐蚀掉，同时金字塔结构铺满硅表面，从500 s 延长至到1000 s
结果及讨论
2.1 传统方法得到的结果
如图1 所示，硅片切割后表面会形成约5 m的损伤层，由于缺陷的存在，容易造成硅片表面少子寿命低、机械强度低等问题，在制绒前需将其完全腐蚀去除
以下。达到金属铝背层红外辐射光仅60%-70%能反射回去。 PERC电池采用PERC技术需在常规背电场(BSF)技术基础上增加背面钝化解决方案。在具体实施中，需要沉积一层背面钝化膜，然后在这层膜上开槽
1.1PID效应的发现和成因
PID效应(Potential Induced Degradation)全称为电势诱导衰减。PID直接危害就是大量电荷聚集在电池片表面，使电池表面钝化效果恶化，从而
，工作电压为720V.由于防雷工程的需要，一般组件的铝合金边框都要求接地，这样在电池片和铝框之间就形成了接近1000V的直流高压。
电池组件在封装的层压过程中，分为5层。从外到内为：玻璃、EVA
狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
，在使用不同EVA封装胶膜条件下，组件的抗PID性能会存在差异。另外，光伏组件中的玻璃主要为钙钠玻璃，玻璃对光伏组件的PID现象的影响至今尚不明确。
三是电池片原因：电池片方块电阻的均匀性、减反射层的
是国家国际合作专项《原子层沉积氧化铝实现低成本高效晶体硅太阳能电池》项目负责人，国家863项目《效率20%以上基于高效背场和背钝化技术的晶体硅电池产业化成套关键技术及示范生产线》核心骨干及项目实施阶段
存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最
均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。
Shugar表示，双面跟踪器是太阳能行业最令人兴奋的未开发机会之一;这将产生巨大的推动力。 当今领先的双面面板基于广泛侧重于后钝化层的后侧效率增强方案。双面面板自出现至今已有数十年，对光伏化学和
双面组件只需基于现有产线，增加沉积背面钝化层和背面激光开槽两道工序，基本不增加额外成本，性价比较高;而N型双面组件得益于其基体材料的特性，双面率(标准测试条件下，背面功率与正面功率之比)可达85~90
太阳能电池。
图表：HIT太阳能电池结构示意图
资料来源：OFweek行业研究中心
在电池正表面，由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅
，构成空穴传输层。同样，在背表面，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅，构成电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集
