薄膜钙钛矿
文章介绍前驱体质量对钙钛矿薄膜的形貌、晶粒尺寸、结晶度和陷阱态密度起着决定性作用，其的长期稳定性对于钙钛矿太阳能电池(PSCs)的可靠放大具有重要意义。基于此，武汉理工大学钟杰等人提出常用的N,N-
前驱体溶液以 4000 rpm 的转速旋涂在 SnO₂薄膜上，持续 30 秒，在旋涂结束前 15 秒时向钙钛矿薄膜滴加 80 µL 氯苯(CB)，之后在 130℃下热退火 30 分钟(空气手套箱
~
2的组件的J-V曲线。(f)有效面积为641.4cm 2的模块的J-V曲线。图5. 钙钛矿薄膜和器件的稳定性。在N2气氛中，在一个太阳照射和85
°C加热下，钙钛矿前体溶液(a)不含
(对照)和(B)含GAOA(目标)的吸收边演变。(c)对照和(d)目标钙钛矿薄膜在连续85
°C处理下的伪二维PL光谱演变(e和f)在环境温度(~25 °C和~
25%RH)下钙钛矿微晶的XRD
簇通路快速合成高质量SnO2电子传输层(ETL)，同时促进逐离子通路产生均匀的薄膜。生成的SnO2薄膜具有优异的光电特性，包括低表面复合速度(5.5
cm/s)和24.8%的高电致发光效率。这些
改进导致钙钛矿太阳能电池的功率转换效率高达26.4%，钙钛矿组件的效率为23%，碳基钙钛矿电池的效率为23.1%。在这种新方法中，抑制簇聚集路径涉及故意引入相对于常规方案过量的配体分子。这些配体与锡离子
2024年2月9日德国亥姆霍兹柏林能源与材料研究中心Qiong Wang等于JACS发文，详细报道了经干燥和环境空气退火处理的 CsPbI₃
薄膜的表面分析，以及它们在钙钛矿太阳能电池中后续改性
界面的情况。我们发现，在环境空气中退火并不会对半导体薄膜的光电性能产生不利影响;相反，经环境空气退火处理的样品会发生表面改性，通过硬
X
射线光电子能谱测量确定，这会导致能带弯曲增强。我们
载流子分离对提升器件性能至关重要。与此同时，大多数光生空穴需要穿越整个钙钛矿薄膜才能到达空穴传输层(HTL)。在 n-i-p 架构中，钙钛矿薄膜沉积在 n 型 ETL 上，尤其是在使用两步法时，通常会
和氧空位，这些缺陷会在 n-i-p 型 PSCs
的溶液处理过程中阻碍高结晶度和无缺陷钙钛矿薄膜的理想生长，降低其功率转换效率(PCE)和稳定性。本文在
SnO₂薄膜上引入了多巴胺盐酸盐
盐酸盐(DACl)自组装单层(SAM)引入 SnO₂电子传输层与钙钛矿的界面，通过邻苯二酚基团对
SnO₂表面缺陷(如羟基、氧空位)的高效钝化，显著改善钙钛矿薄膜的结晶质量，抑制非辐射复合。2、双
针孔形成和增强大面积钙钛矿薄膜的均匀性，显著改善了WBG钙钛矿的质量。DOPS与WBG钙钛矿的相互作用有效调控了结晶过程并钝化了未配位的Pb²⁺缺陷，从而制备出均匀且高质量的WBG钙钛矿薄膜，抑制了非
Science刊发整体性优化实现高效率与机械稳健性超薄柔性钙钛矿太阳能电池的最新研究成果。该研究开发了几种策略来提高超薄f-PSC 的机械柔韧性和光伏性能。首先，在钙钛矿薄膜的边界处引入具有低
大面积钙钛矿薄膜(如模组或柔性器件)中的应用，验证其与卷对卷(roll-to-roll)等工业化工艺的兼容性，推动商业化进程。3.界面机理的深入解析：通过原位表征技术(如同步辐射X射线衍射、超快光谱
形成具有低晶界缺陷的单片钙钛矿晶粒对于实现高性能钙钛矿太阳能电池至关重要。在底面引入二维(2D)钙钛矿晶种是一种简便易行的方法，可诱导向上定向结晶并形成单片晶粒。然而，二维钙钛矿中的大分子有机阳离子
