薄膜钙钛矿
簇通路快速合成高质量SnO2电子传输层(ETL)，同时促进逐离子通路产生均匀的薄膜。生成的SnO2薄膜具有优异的光电特性，包括低表面复合速度(5.5
cm/s)和24.8%的高电致发光效率。这些
改进导致钙钛矿太阳能电池的功率转换效率高达26.4%，钙钛矿组件的效率为23%，碳基钙钛矿电池的效率为23.1%。在这种新方法中，抑制簇聚集路径涉及故意引入相对于常规方案过量的配体分子。这些配体与锡离子
2024年2月9日德国亥姆霍兹柏林能源与材料研究中心Qiong Wang等于JACS发文，详细报道了经干燥和环境空气退火处理的 CsPbI₃
薄膜的表面分析，以及它们在钙钛矿太阳能电池中后续改性
界面的情况。我们发现，在环境空气中退火并不会对半导体薄膜的光电性能产生不利影响;相反，经环境空气退火处理的样品会发生表面改性，通过硬
X
射线光电子能谱测量确定，这会导致能带弯曲增强。我们
载流子分离对提升器件性能至关重要。与此同时，大多数光生空穴需要穿越整个钙钛矿薄膜才能到达空穴传输层(HTL)。在 n-i-p 架构中，钙钛矿薄膜沉积在 n 型 ETL 上，尤其是在使用两步法时，通常会
和氧空位，这些缺陷会在 n-i-p 型 PSCs
的溶液处理过程中阻碍高结晶度和无缺陷钙钛矿薄膜的理想生长，降低其功率转换效率(PCE)和稳定性。本文在
SnO₂薄膜上引入了多巴胺盐酸盐
盐酸盐(DACl)自组装单层(SAM)引入 SnO₂电子传输层与钙钛矿的界面，通过邻苯二酚基团对
SnO₂表面缺陷(如羟基、氧空位)的高效钝化，显著改善钙钛矿薄膜的结晶质量，抑制非辐射复合。2、双
针孔形成和增强大面积钙钛矿薄膜的均匀性，显著改善了WBG钙钛矿的质量。DOPS与WBG钙钛矿的相互作用有效调控了结晶过程并钝化了未配位的Pb²⁺缺陷，从而制备出均匀且高质量的WBG钙钛矿薄膜，抑制了非
Science刊发整体性优化实现高效率与机械稳健性超薄柔性钙钛矿太阳能电池的最新研究成果。该研究开发了几种策略来提高超薄f-PSC 的机械柔韧性和光伏性能。首先，在钙钛矿薄膜的边界处引入具有低
大面积钙钛矿薄膜(如模组或柔性器件)中的应用，验证其与卷对卷(roll-to-roll)等工业化工艺的兼容性，推动商业化进程。3.界面机理的深入解析：通过原位表征技术(如同步辐射X射线衍射、超快光谱
形成具有低晶界缺陷的单片钙钛矿晶粒对于实现高性能钙钛矿太阳能电池至关重要。在底面引入二维(2D)钙钛矿晶种是一种简便易行的方法，可诱导向上定向结晶并形成单片晶粒。然而，二维钙钛矿中的大分子有机阳离子
，不提这些元素的品质贵贱，就薄膜电池技术效率低、成本高 (单 GW 投资 20
亿以上)，无法与晶硅电池性能媲美，目前占比不足 5 %。(3) 第三代，就是本文要讨论的钙钛矿太阳电池
效率会明显低于实验室的“原型”。目前被报道的高效率钙钛矿组件，主要都是实验室小面积的“原型”。实验室里的电池，大多为
1 cm2见方的薄膜器件。随着组件面积放大，电池效率显著下降，且下降幅度明显
万元、本次发榜金额2560万元，包括大面积钙钛矿电池退火工艺设备研发、全干法制备钙钛矿薄膜关键工艺、面向消费电子应用的钙钛矿光电片解决方案及产业化。原文如下：关于合肥市2025年度第一批科技攻关“揭榜
界面，同时钝化两层中的缺陷，从而抑制界面复合损失。此外，这种改性可以降低 CsPbI₃
晶面的表面能，促进钙钛矿结晶，并得到结晶度更高的薄膜。为了增强 PFAT 与钙钛矿之间的相互作用，合成
全无机 CsPbI₃
钙钛矿因其出色的热稳定性和理想的带隙特性而备受关注。然而，钙钛矿/电子传输层(ETL)界面处的界面缺陷以及钙钛矿不受控的结晶过程仍然是提升器件性能的关键瓶颈。鉴于
