硅薄膜

了0.5。 如今HIT是蓄势待发，而关于HIT，你知道多少?HIT问世已30年，技术积累带来突破。未来又将如何发展? 异质结电池从萌芽走向成熟 HIT萌芽：1989-1990年。日本三洋用非晶硅薄膜

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线

击穿效应，是半导体器件和光伏电池的主要结构单元。根据PN结内部结构的不同，分为同质结和异质结。HIT电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。 异质结电池最早由日本三洋于1990年研发
异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO

)高效电池用 PECVD 工艺装备并形成年产 40 台(套)该设备的生产能力。金辰介绍，该设备是 HJT 电池片生产线的核心工艺设备，用于制备 P 型非晶硅、N 型非晶硅和本征非晶硅薄膜。该项目已完

输出功率为初始功率的92%，光衰指标比较好。 2.HJT降本的理论空间较大，具体进展需要再跟踪：HJT电池生产只有四步，清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结
，制备过程只有清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结等步骤(较现行路线少了3-4个步骤)，未来HJT生产也将更智能化，长期降本可能主要集中在耗材、设备上。 REC目前

。 工艺：核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用PECVD或RPD沉积本征

18.64%。相关数据经德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)验证，再次打破该项电池世界纪录。 就在前几日(11月8日)汉能发布新闻稿称：成都研发中心再次刷新高效硅薄膜异质结

沉积多晶硅薄膜技术，实现大规模量产5BB电池平均效率达到22.8%，研发平均效率达到23.44%，开路电压达到704mV。60片和72片组件输出功率分别达到330W和400W，并重点介绍采用大尺寸硅片

非晶硅薄膜光伏电站;力诺、皇明、桑乐等行业领军企业和海尔、天丰、黄金等一大批太阳能品牌，在中亚、东南亚等享有盛誉，成为我省开发光热资源的闪亮名片，光耀全球。我省作为全国较早在全省范围内推广太阳能光热系统与

及电池组件产品研发和生产经营。目前国家电投集团西安太阳能电力有限公司根据西安电池TOPCon工艺升级改造项目对LPCVD及附属设备进行采购，使其满足TOPCon电池生产中生长隧穿氧化层和沉积多晶硅薄膜