硅薄膜

9月20日，工信部发布关于开展智能光伏试点示范的通知称：为推动光伏产业高质量发展，支持培育一批智能光伏示范企业，支持建设一批智能光伏示范项目。 光伏产业链中包含多种产品，例如硅料、硅片、非晶硅薄膜

具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。 江苏微导CTO黎微明博士指出，ALD钝化效果优异，量产性能稳定，并且在当前多种技术路线中生

，约占市场份额的90%，大面积商品化电池效率单晶硅为16%至20%，多晶硅为15%至18%。此外，非晶微晶硅薄膜太阳能电池发展训读，占全球光伏组件销量的10%至15%。非晶硅与微晶硅叠层电池效率在8%至

完成，上镀膜和下镀膜可以随时切换，实现了灵活调整。 北京捷造光电技术有限公司 副总经理鲍刚 JPE3000产线核心特征在于能够完成全部异质结电池工艺两面非晶硅薄膜快速稳定沉积，以及应用
了高质量的非晶硅薄膜。4个独立的PECVD模块处理双面异质结工艺，配备两套载板循环系统，能够快速生产避免交叉污染。恒温控制工艺环境，保证了工艺的重复稳定，同时，每个PECVD模块都具有独立特气控制系统，并

可以随时切换，实现了灵活调整。 北京捷造光电技术有限公司副总经理鲍刚 JPE3000产线核心特征在于能够完成全部异质结电池工艺两面非晶硅薄膜快速稳定沉积，以及应用了高质量的非晶硅薄膜。4个

得出结论，ALD和PECVD镀膜技术在降低LeTID衰减中的有着明显不同的表现。根据新南威尔士大学的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的

的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。而PECVD氧化铝薄膜由于存在较多缺陷和针孔，无法阻挡

，中国电子科技集团公司第四十八研究所正在进行一项SHJ电池的研制。SHJ电池中，无论是正表面还是背表面都采用了非晶硅薄膜，非晶硅薄膜目前大部分仍采用PECVD设备进行沉积，因此，平板PECVD是SHJ电池制备工艺中的核心装备，目前我们正在开展该设备的研制工作。

，中国电子科技集团公司第四十八研究所正在进行一项SHJ电池的研制。SHJ电池中，无论是正表面还是背表面都采用了非晶硅薄膜，非晶硅薄膜目前大部分仍采用PECVD设备进行沉积，因此，平板PECVD是SHJ电池制备工艺中的核心装备，目前我们正在开展该设备的研制工作。

。 工艺：核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用PECVD或RPD沉积本征