硅薄膜

具有很高的光电转换效率已与多晶硅薄膜电池相媲美，但是电池的长期稳定性远未达到商业化的要求。此外，传统的低温溶液法可以便利地制备钙钛矿薄膜，但所制备的钙钛矿通常是多晶薄膜极易在晶界或表面产生针孔和缺陷

发生化学反应，沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积，薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层，钝化
，放置硅片的载板按 照设定的速度移动，成膜厚度由载板在腔室内的移动时间决定，所用节拍时间大幅缩短，提高了真空系统使用效率， 产能更高，设备成本相对更低。 但由于非晶硅薄膜沉积过程对各种环境因素的变化

(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，是结合了薄膜太阳能技术的单晶硅电池。PERC(Passivated

，只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、金属化四个步骤。但HIT难度 系数更高，进口HIT设备投资约为8-10亿元/GW，若实现国产化有望降低至5元/GW以下。 其中核心环节在于非晶硅薄膜沉积

，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积(PVD)技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化
处理，便可得到异质结电池。 而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺，HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。 图表来源：CPIA目前国内已有多家企业积极推动异质结电池

、PVD等生产设备并形成初步生产能力。PECVD、PVD设备是异质结电池片生产线中的核心工艺设备，用于制备P型或N型非晶硅和本征非晶硅薄膜等。项目计划总投资12588万元，预计使用本次募集资金9000万元

生产能力。PEVCD、PVD设备是HJT电池片生产线中的核心工艺设备，用于制备P型或N型非晶硅和本征非晶硅薄膜等。项目计划总投资12,588万元，预计使用本次募集资金9,000万元，不足部分由公司以

、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四个步骤，主要生产设备有清洗制绒机、PECVD、RPD/PVD以及丝网印刷机。目前，异质结产线设备较高，占据了异质结电池产品成本很大的比重，根据预测，异质结核心设备

本偏高。 第二代太阳能光伏电池，主要是非晶硅薄膜太阳能电池和晶硅薄膜太阳能电池。其中非晶硅的砷化镓太阳能电池效率目前可达30%左右，但是价格昂贵，综合性价比并不高，因此多用于对性能要求很高的太空飞行
器领域。晶硅薄膜太阳能电池采用化学气相沉积或者等离子增强化学气相沉积法制备，但是硅基太阳能电池需要采用高纯度的硅材料，使光伏成本偏高。而非晶硅薄膜太阳能电池需要采用稀土元素且制备过程中环境污染严重

，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。 本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额