硅薄膜
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
。同时由于 HJT 电池双面对称,正反面受光照后都能发电,可以做成双面发电组件。
(2)低温制造工艺。HJT 电池采用硅基薄膜工艺形成 p-n 结发射区,制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成
传导损耗，提升组件可靠性;组件采用非晶硅薄膜与N型晶体硅技术结合，耐高温、低衰减、弱光环境表现优异;异质结组件拥有超低的温度系数，使其在高温状态也可高效持续发电。超高效异质结产品稳定、可靠的性能带来更加
不断突破，未来HJT降本空间巨大。目前主流的异质结电池采用晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，主要工艺是先将N型硅片清洗制绒作为衬底，经过非晶硅薄膜沉积与TCO导电膜沉积，并通过丝网印刷制备银电极，最后烧结退火
制成。从成本端看，HJT与PERC在制造工艺与生产设备最大不同之处在于非晶硅薄膜沉积与导电膜沉积环节。非晶硅薄膜沉积所需设备PECVD目前主要依靠进口，单GW设备投资额在5亿元左右，国内设备厂商钧石
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。 HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身
数据来源：索比咨询整理 表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商 数据来源：索比咨询整理 表：部分TCO层沉积设备供应商 数据来源
大于24.5%，并累计获得了异质结客户10家，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。 HJT技术前瞻 与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极
世界纪录。汉能成都研发中心再次刷新高效硅薄膜异质结(Silicon Hetero-Junction，SHJ)太阳能电池的世界纪录，其制备的冠军电池片，全面积(M2，244.45 c㎡)光电转换效率达到
，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。 HJT技术前瞻 与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池天然的对称结构使其
with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅片
。
成果简介
近日，美国橡树岭国家实验室杨光和Nanda博士团队联合其他三个国家实验室科研团队研发一种能够在硅电极表面形成一种共形包覆SEI膜的醚类电解液(GlyEl)。利用硅薄膜负极作为模型材料
，作者证实醚类局部高浓度电解液可在硅薄膜负极材料表面形成一层全包覆共形SEI层，经过多圈循环，硅电极未见明显裂纹。同含FEC添加剂的碳酸盐电解质相比，这种醚类电解液早期的漏电流减小了62.5
