硅薄膜
1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术
HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准
和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节， 钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得
硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。
③获得较高的转换效率
58.3亿元，制绒设备市场空间为25亿元。
HJT电池设备以国外为主，国产企业加速国产化。HJT电池的生产流程包括制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO(透明氧化物导电薄膜)沉积、丝网印刷四步。对各个环节的
使电池效率进一步提升。在硅片表面同时采用本征的非晶硅进行表面钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。其优点是利用非晶硅优越的表面钝化性能，并结合IBC结构没有金属遮挡的结构优点，采用相同的器件
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下：
01
制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02
等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积
逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下：
01、制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征
中国首富。 1963年出生的施正荣是江苏扬中市人，在国内读完研究生后，于1988年去澳大利亚留学，师从世界太阳能电池领域的权威、被誉为太阳能之父的马丁格林，3年后以优秀的多晶硅薄膜太阳电池技术获
(低于 200℃)，可降低制造流程中的能耗及对硅片的热损伤;6)温度系数低，在高温及低温环境下均具备较好的温度特 性。以 N 型硅片为衬底，经过制绒清洗后，在正面依次沉积 5-10nm 本征非晶硅薄膜
和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄 膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面
师从世界太阳能之父、2002年诺贝尔环境奖得主马丁格林教授，并且于1991年以多晶硅薄膜太阳电池技术获得博士学位。不过他没有启动资金，他的个人储蓄只有40万美元，而启动项目需要800万美元。因此，他
