硅片清洗

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改善多晶硅背钝化电池缺陷 解决电池片EL区域发暗 提升电池片效率来源:太阳能杂志 发布时间:2018-07-02 10:10:16

VaporDeposition,PECVD) 在背面镀一层Si3N4 薄膜,对Al2O3 起保护作用;同时,这层Si3N4薄膜还能提高少子寿命,增加对长波的反射,对光进行充分利用,增加硅片对长波的吸收,显著
。这种EL 测试暗片会在组件端大量出现,引发组件热斑效应,从而降低组件质量和寿命。 2 实验设计和结果讨论 选取同一批次的200 片p 型原硅片制作成电池片,其中,100 片按照常规流程

分析 | 晶硅电池黑斑分析!来源:零点光伏 发布时间:2018-06-08 17:59:59

电流测量了每个电池的外量子效率(eqe)。在460~1000nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的eqe相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出
镀膜、丝网印刷、烧结等工序。每道工序过程中,由于存在人为因素、环境因素及机械不稳定等因素,造成硅片的一些缺陷及污染等,从而影响电池片的性能。因此黑斑片的出现,也许是硅片原材料的问题,也有可能是电池生产

531之后 分布式光伏如何降本增效?来源:光伏荟 发布时间:2018-06-07 10:00:44

商纷纷抛库存去产能,国内光伏市场萎缩必然倒逼上游硅料硅片降价。叫兽预计年底组件价格会降到2元以内,明年中下旬即可实现1.5元左右,2020年组件价格在1元左右。今年下半年,中东部地区部分高电价自发自用
/w以内(含人员/清洗/保险等)。叫兽认为,AI技术让光伏电站的设计、建设和运维管理变得更高效节约,远景能源无疑是国内光伏AI技术应用的开创者。在531新政后,远景提出了以度电成本为引领,以平价上网为

17家光伏组件企业SNEC新品亮点汇总 !来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-06-03 18:59:59

原材料方面采用N型硅片作为衬底,使得产品具备无光致衰减的优点,为用户带来更好的投资收益。 此外还有,Shingle PERC叠片组件 、MBB多主栅单晶PERC组件、N型双玻组件。 隆基乐叶
组件减重12.56%,6400Pa静载,1800Pa动载及6J的动能极限测试;3. 更多效益:自清洁技术减少清洗频次,降低运维成本,透光增加,最高可多发电5%,增加收益;4. 更好品质:10年内产品材料

光伏工厂自动化装备露锋芒 宝群实力重塑中国智造来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-31 08:52:34

全自动超声波硅片插片清洗一体机,那为什么这次一改连续三年的常规展品,选择了全新的产品参加展出,因为这些凝聚了宝群多年的自动化装备,未来要对接目前的光伏自动化设备,形成光伏制造全新的产线,助力中国光伏工厂

2018SNEC:64家光伏巨头强势阵容!谁家最受关注?谁家新品最多?谁家展台设计最亮眼?展台展品各具千秋!来源:光伏头条 发布时间:2018-05-28 21:27:13

内最大的硅片生产商,是国内单纯生产硅片规模最大的企业之一,大海光伏今年来所取得的成绩是有目共睹的。截止目前,大海光伏已实现硅片产能3GW,组件产能1GW,最新半片组件产能达到250MW。 阳光电源

金刚线切割单晶硅片制绒白斑成因分析及改善建议来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-28 10:28:57

单晶硅片清洗工序是将线锯机床切割完毕的硅片从树脂板上脱离下来,将胶条去除后,将硅片清洗干净。清洗设备主要是预清洗机(脱胶机)和清洗机。预清洗机的主要清洗流程为:上料-喷淋-喷淋-超声清洗-脱胶-清水

P型单晶EL黑斑分析来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-24 10:24:55

诱导电流测量了每个电池的外量子效率(eqe)。在460~1000nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的eqe相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出
、刻蚀、PECVD镀膜、丝网印刷、烧结等工序。每道工序过程中,由于存在人为因素、环境因素及机械不稳定等因素,造成硅片的一些缺陷及污染等,从而影响电池片的性能。因此黑斑片的出现,也许是硅片原材料的问题

制绒添加剂在单晶硅制绒的作用来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-23 09:49:03

首先用超声波清洗清洗硅片,除去表面的油渍和沾污,然后采用无添加剂、异丙醇、A 与B型添加剂对比制绒效果,两种添加剂均为无醇添加剂。使用KOH 腐蚀溶液,其体积浓度为3%,添加剂比例为1.7%(V

谁将打破单晶Perc的神话?HIT或将成下一个光伏电池新赛来源:365光伏 发布时间:2018-05-22 16:18:41

。 HIT专利从2015年过期,现在各家发展HIT已无专利方面的障碍,核心障碍在于如何把成本做低,HIT成本方面的障碍主要来自:1、设备未完成国产化单位产能投资额度较高;2、产量较小导致N型硅片、关键辅材
%) 更高的双面率(理论双面率可做到98%) 更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大) 更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象) 更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%,常规晶硅电池为