、导条接触、花篮接触、人员接触、粉尘污染等;扩散工序:吸片、舟卡槽及硅片间摩擦;刻蚀工序:滚轮划伤、清洗残留、皮带接触、导条接触、花篮接触、人员接触、烘干污染、粉尘污染、油污等;背钝化工序:吸盘接触
;定期检查、优化导向轮部件位置。
③在残留清洗方面:优化清洗槽喷淋流量;定期清洗槽滤芯。
④针对皮带接触方面:刻蚀下料加装翻片器,减少硅片背面与皮带接触;定期检查硅片进盒位置、感应器位置,减少皮带与
。
HIT专利从2015年过期,现在各家发展HIT已无专利方面的障碍,核心障碍在于如何把成本做低,HIT成本方面的障碍主要来自1、设备未完成国产化单位产能投资额度较高;2、产量较小导致N型硅片、关键辅材价格
%)
更高的双面率(理论双面率可做到98%)
更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大)
更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象)
更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%,常规晶硅电池为
光致衰减和老化衰减。
3.1初始光致衰减
初始光致衰减,即光伏组件的输出功率在刚开始使用的几天内发生较大幅度的下降,但随后趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体
,也是导致组件在发电过程中功率衰减的主要原因。常见的质量问题主要有:
1.组件受光面硅胶、EVA残留未清洗到位,引起室外灰尘的附着,易造成热斑损坏组件。
2.助焊剂使用不当
助焊剂的滥用
单晶硅片好,还是多晶硅片好?这个问题本身由于各方利益、立场的不同,很容易引发诸多口水。我并不希望我文后的评论是站在各种利益立场上的谩骂,而是基于数据、基于事实的理性讨论。
作为我自己,更要
格局带来一些什么改变。
二、金刚线切割是一场本质上有利于单晶硅片的产业革命
如果要问是什么原因导致近些年单晶硅片占比不断提升?我觉得首要原因必然是单晶硅片率先实现了金刚线切割的产业化应用
硅晶片设备生产 (一)硅片生产设备梳理:单晶炉等核心设备已实现国产化 半导体硅片的生产流程包括拉晶滚磨线切割倒角研磨腐蚀热处理边缘抛光正面抛光清洗检测外延等步骤。其中拉晶、研磨和抛光是保证半导体
、产业化技术水平、应用市场拓展、产业体系建设等方面均位居全球前列,已具备向智能光伏迈进的坚实基础。
一是制造规模全球领先。我国多晶硅、硅片、电池、组件、逆变器等光伏主要产品产量均连续多年位居全球首位,并
持续占据较大市场份额,中国产品在2017年的全球产量占比中:多晶硅占55%、硅片占83%、电池片占68%、组件占71%、光伏应用市场占47%,各环节产量前10名的企业中有半数以上位于中国大陆。
二是
、产业化技术水平、应用市场拓展、产业体系建设等方面均位居全球前列,已具备向智能光伏迈进的坚实基础。
一是制造规模全球领先。我国多晶硅、硅片、电池、组件、逆变器等光伏主要产品产量均连续多年位居全球首位,并
持续占据较大市场份额,中国产品在2017年的全球产量占比中:多晶硅占55%、硅片占83%、电池片占68%、组件占71%、光伏应用市场占47%,各环节产量前10名的企业中有半数以上位于中国大陆。
二是
市场的确有回暖趋势,表现在多晶硅价格领涨,硅片价格待涨。尤其是市场一直预期分布式补贴可能在6月30日之后调整,在此之前有望再次引发抢装潮。预计整个“6.30”前,市场都将保持热度。
“今年和去年的一个
,电池片的清洗过程仍有一定污染。总之,要引入新的技术,不能像过去那样粗放式发展。企业如果用心去做光伏市场,未来还是有很大机会,当然竞争也比较激烈,“这个行业不是有钱、会讲故事就有效”。(文章来源:上海证券报)
,近期市场的确有回暖趋势,表现在多晶硅价格领涨,硅片价格待涨。尤其是市场一直预期分布式补贴可能在6月30日之后调整,在此之前有望再次引发抢装潮。预计整个“6·30”前,市场都将保持热度。
“今年和
。不过,电池片的清洗过程仍有一定污染。总之,要引入新的技术,不能像过去那样粗放式发展。企业如果用心去做光伏市场,未来还是有很大机会,当然竞争也比较激烈,“这个行业不是有钱、会讲故事就有效”。
来源:上海证券报
,需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。
(3)各工序Q-time控制:HIT电池在完成非晶硅镀膜之前,对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛,需要注意各工序Q-time的控制
构造,其特征是以光照射侧的p-i型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称结构的HIT