氮化硅薄膜

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言 氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅

理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。 在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
化学气相沉积法同溅射法一样，可以通过改变沉积参数的方法制备不同应力状态的薄膜以满足不同的需要。这种方法根据等离子体的激发方式，用于生长氮化硅薄膜的PECVD设备一般分为两种类型：直接PECVD设备和间接

摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化
硅镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量

玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的

复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响 采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体
为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所

此次获奖专利，首次提出了一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法。本专利通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间迅速的生成一层薄而致密的氧化硅层，该氧化硅层既满足抗PID的需求，又避免了氧化硅层过厚带来
的减反效果降低的问题，完美解决了本领域中抗PID和维持光利用率难以取舍的矛盾问题，做到二者兼顾，并且所得的氧化硅薄膜还具有良好的钝化效果。 使用该技术工艺生产的阿特斯专利组件产品不仅抗PID

月，我改变了博士论文的研究课题，开始从事多晶硅薄膜太阳能电池的研究。工作的主要内容是釆用液相生长法(Solution Growth)将多晶硅薄膜生长在玻璃上，从而降低硅材料的用量，以期降低光伏电池的
，系统学习，否则无法有效参与课题组的讨论并做出贡献。1993年年底，Martin和Stuart 提出了多层p-n结多晶硅薄膜电池的设计发明，并进行了大量的理论计算和实验研究。1994年年底，该项发明成功