氮化硅薄膜
frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施
短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。
氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高
氮化硅薄膜的折射率为2.15左右,厚度为25nm,第三层氮化硅薄膜的折射率为2.0以内,厚度为50nm。
PECVD镀完膜厚,通过反射率测试仪分别对采用双层和三层氮化硅膜工艺的实验片在波长300
时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
氧化铝/ 氮化硅叠层钝化，利用氧化铝中固定负电荷场钝化效应同烧结中形成的氧化硅的化学钝化，背面复合速率大幅降低至10 cm/s。PERC 电池背面抛光可降低背表面的比表面积以降低复合速率，也可增加电池
：
依据上述原理可根据组件钢化玻璃或镀膜玻璃与EVA的不同折射率，设计相应的氮化硅薄膜的折射率，达到组件的光学最佳匹配。
1.2电学损失
电池引起的电学损耗包括电池片串联时电流不匹配、焊条与
摘要：多晶硅电池片经封装成组件，功率会有相应的损失，称之为封装损耗。多晶硅电池工艺中细微的差异就会导致组件衰减的不同。针对氮化硅膜厚与折射率、扩散均匀性、电池片摩擦情况引起的组件衰减进行了详细的研究
上层的涂有氮化硅的抗反射层，以及由银制成的背面发射层，从而可以有效的降低再次辐射。
对此，Peter Bermel 说：
在研究中，我们使用了现成的硅晶圆作为设计和制造的平台，制成一种结构能够吸收
走下去。
柔性
通过这种硅晶圆结构，研究人员探索出了由硅薄膜制成的选择性吸收器，薄膜的柔性会带来更多的潜在优势，例如可以应用到弯曲的结构，例如聚光太阳能发电系统用到的，像镜子一般的槽式抛物面。这种
。正面采用氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与n+层结合作为前表面电场，并形成绒面结构以抗反射。 背面利用扩散法做成p+与n+交错间隔的交叉式接面，并通过在氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区
征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜，形成n-型硅和非晶硅异质结结构（HIT）太阳电池。非晶硅（a-Si：H）材料的带宽在1.7eV左右，远大于晶体硅1.1eV的带宽，因此此种HIT电池结构对于电池表面
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池正面的减反射膜。其中原因之一在于相对合适的折射率，但更重要的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果。氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。SiNx：H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池
硅片上下表面相互绝缘。然后把硅片在HF溶液中完全去除扩散过程中产生的磷硅玻璃（PSG）。 PECVD：通过微波电能使反应气体电离，在局部形成等离子体，在基片上沉积出氢氮化硅薄膜。增强对光的吸收性的
，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种
35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源
