环境更有利于高折射率的获得。此外,还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用,是晶体
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响,测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并
环境更有利于高折射率的获得。此外,还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用,是晶体
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响,测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并
关键设备进行招标,只要设备检测符合标准即可,补贴方式仍采用初投资补贴,采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦,采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。 2012年实际安装4544MW,上半年,金太阳第一批项目
创益太阳能最新公告称,香港联合交易所(简称联交所)宣布,自2018年8月23日上午9时起,创益太阳能的上市地位将正式予以取消。
这家总部位于深圳的公司,自1993年起开始生产非晶硅薄膜
太阳能电池。据官网显示,创益太阳能(TronySolar)是一家主要生产非晶硅太阳能电池、晶体硅太阳能电池、组件、光伏发电系统及应用产品的薄膜光伏制造商。
因财务纪录不一致,于2012年6月21日起开
,SJT等),通常以n型晶体硅作衬底,宽带隙的非晶硅作发射极,典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构,n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层,正面一层P型非晶硅发射极层,背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响,加上两侧对称的非晶硅薄膜构造,电池基底的热损伤大大降低,有利于实现晶片的轻薄化和高效化。
高稳定性
HIT太阳电池Voc越高
间衬底为n 型晶体硅,经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5~10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H),从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
理想的减反射膜材料。而且,钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用,能显著改善硅太阳电池的光电效率。
在实际的晶体硅太阳能电池工艺中,氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜,其折射率在1.8~2.5,因此
摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括
。
0 引言
随着能源日益紧张,环境保护越来越迫切,可再生绿色能源越来越受到人们的关注。硅太阳电池是研究热点之一,也是目前唯一产业化的太阳电池。为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低
生产成本,此前已有诸多研究,20世纪80年代,澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池,打破了当时晶体硅太阳电池转换效率的记录,也是目前唯一产业化的高效太阳电池技术。PERC电池在常规电池
6.1 高效晶体硅太阳电池片
具体要求及技术指标:无螺钉内置角键连接,紧固密封,抗机械强度高,高透光率钢化玻璃封装,采用密封防水多功能接线盒,确保组件使用安全。表面覆盖深蓝色碳化硅碱反射膜,颜色均匀
,外观精美。
产能:100mw
规格:125125mm
156156mm
6.2 单晶体全玻电池组件
技术指标要求:
功率:165wp
尺寸:18001500mm
重量:84kg
0 引言
为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低生产成本,此前已有诸多研究,20世纪80年代,澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池,打破了当时晶体硅太阳电池
复合速率,提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响
采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜,高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体