晶体硅薄膜

第一块晶体硅太阳能电池是1954年贝尔实验室做出来的，到今天已经有60多年的时间了，转换效率在4.5%左右;到1958年，世界上推出了BSR结构，也就是背面反射结构的太阳能电池，转换效率接近10%;前些年行业里
，并在20162017年逐渐成为主流电池技术。PERC是对背场做了改进，采用的是背钝化技术和局部背电极的技术方案。 晶硅电池的原理比较简单，以晶体硅作为载体，就是硅片以晶体硅为材料，通过扩散的形式

。单晶电池相对于多晶，产品效率方面有天然的优势。多晶电池全面应用黑硅技术，单晶领域则大规模普及PERC技术，预计2-3年内在多晶领域也将全部由PERC技术替代。由于晶体生长工艺不同，导致单晶硅片与
多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。单晶硅具有更少的缺陷、更高的机械强度、更低的碎片率、更大的效率提升空间、更高的集约性、更长的衰减期。 高效单晶市场份额逐渐扩大。随着

近日，经行业权威检测机构检测认证，国家电投中央研究院所属新能源科技有限公司研发的、具有完全自主知识产权的高效晶体硅铜栅线异质结光伏电池(C-HJT)最高量产效率已达24.53%，比国际上异质结
。C-HJT(Copper-Heterojunctionwith intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征

沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。 与主流的高效光伏电池PERC相比，异质结转换效率和发电量都更高，且具备更强的技术延展空间
。在这个过程中，泰州市发展光伏产业的支持政策愈发成熟。 12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。 来自全国各地的

的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer)，是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底，在硅片正面依次沉积本征
非晶硅薄膜，N型非晶硅薄膜，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，在TCO两侧顶层形成金属电机。 预计2023年HJT电池片成本接近

HJT的主要生产工艺有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和丝网印刷四步，其中TCO制备是生产HJT电池的第三道核心工序，高质量的TCO薄膜能有效提升HJT电池的整体转换效率。目前TCO镀膜设备
，在首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上，捷佳伟创副总经理陈麒麟博士强调，TCO镀膜技术是推动常规异质结迈向高效异质结的关键技术。目前异质结量产

发生化学反应，沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积，薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层，钝化
，放置硅片的载板按 照设定的速度移动，成膜厚度由载板在腔室内的移动时间决定，所用节拍时间大幅缩短，提高了真空系统使用效率， 产能更高，设备成本相对更低。 但由于非晶硅薄膜沉积过程对各种环境因素的变化

(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，是结合了薄膜太阳能技术的单晶硅电池。PERC(Passivated
上限更高，理论极限值为33%，钙钛矿电池和晶体硅组成的的叠层电池理论转换率极限更是高达43%。 坚定看好HJT电池的业内人士认为，HJT和钙钛矿的叠层电池是十年内的终极太阳能电池产品，它可以实现