晶体硅薄膜

电池产能接近3GW，但主要参与方当前的规划产能已经超过16GW，具有长期投资价值。 异质结电池全称为本征，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的
，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积(PVD)技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化

钙钛矿太阳能光伏电池是使用与钙钛矿晶体结构相似的半导体材料作为吸光材料的第三代薄膜太阳能光伏电池，具有光电转换效率高、可柔性制备、低成本等突出优势，具有广阔的应用前景，有望引发相关领域的能源革命。其
发展大致经历了三个发展阶段： 第一代太阳能光伏电池，主要是单晶硅和多晶硅太阳能电池。经过半个多世纪的持续发展，晶体硅太阳能电池制备工艺已经十分成熟，单晶硅和多晶硅太阳能电池的实验室转换效率分别达到

的晶体结构具有不连续性，悬挂键密度高导致缺陷密度大，非晶硅层通过降低表面悬挂键的密度实现优良的界面钝化;2)HIT 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜，使得异质结界面的界面态

硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。 ③获得较高的转换效率
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。 ④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减

电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂
，并经过日本电气安全与环境技术实验室(JET)独立测试认证。这是迄今为止经第三方权威认证的中国本土效率首次超过25%的单结单晶硅太阳电池，也是目前世界上大面积6英寸晶体硅衬底上制备的单晶硅太阳电池的最高

提供了新路径。HIT 作为双极型晶体硅电池的最高形式，技术效率提升潜力巨大，电池厂 商纷纷布局寻求突破。 1、PERC 技术已成主流，工艺升级趋势下，生命力有望延续 相比 BSF，PERC
线技改，使得 PERC 电池市场占比迅速提升至 65%。 2、N 型技术受青睐，产业化脚步渐行渐近 N 型单晶硅通过在纯净硅晶体中掺入磷元素形成，自由电子为多子，空穴为少子。相比于 P 型单晶硅

晶体硅太阳能电池的极限效率，29.43%。 制造业积极布局，量产转换效率突破 23%。从海外来看，LG 和REC 在TopCon 技术均有量产产能。国内方面，中来股份已实现
大幅降低。设备投资额的大幅下降有望推动 TopCon 技术加速发展。 三、异质结：技术逐步成熟，龙头积极布局 异质结(本征薄膜异质结，亦成为 HJT/SHJ)，通常以 n 型晶体硅作衬底，宽带隙的

之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前行业内关注并研究异质结电池技术的企业有日本松下(量产规模1000MW)、美国
技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。 目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。 异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线

非晶硅薄膜，可谓综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，效率高、无光衰、温度系数低、弱光响应高等诸多优势加身。从转化效率来看，HJT理论效率高达27%以上，实验室效率在26%以上。 然而，从电池企业实际的
随着PERC高效技术的大规模迭代几近完成，有关下一代高效电池技术的讨论和储备已提上各大企业的重要日程。其中，HJT异质结电池无疑最受光伏市场以及资本市场的热捧。 HJT基于N型硅片，在晶体硅上沉积

。当年5月，其宣布与中科院上海微系统与信息技术研究所、三峡资本，共同建设规划2GW异质结太阳能电池产能项目。 HJT中文名为异质结电池，全称为晶体硅异质结太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜。 该