晶体炉
2018年11月18日，非晶硅/晶体硅异质结光伏发展与国产化论坛暨南昌大学光伏研究院十周年纪念（HAC会议）在南昌举行，中国科学院电工研究所研究员王文静教授做了题为《HJT太阳能电池与
导致栅线拉力低、非晶硅层及ITO层行业内还没有对缺陷修复有有效手段。经过近两年的持续研发试验，发现了解决方案并通过客户验证，在2015年正式向客户提供了第一台量产低温银浆固化退火一体炉（在低温银浆固化
自动化、大直径晶体生长设备(单晶炉)为主，年产能达300台、产值3亿多元;被全部置入的曲靖晶龙电子材料有限公司在项目建成后，也将形成年产1.2吉瓦单晶方棒、2.4万只坩埚产能，预计年可实现销售收入15亿元
结的专用设备为管式扩散炉。管式扩散炉主要由石英舟、废气室、炉体和气柜等部分构成。工业生产一般使用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放入扩散炉的石英容器内，使用小股的氮气携三氯氧磷进入石英容器，在高温
进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低生产成本，此前已有诸多研究，20世纪80年代，澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池，打破了当时晶体硅太阳电池转换效率的记录，也是目前
40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理。
2.1Al2O3厚度对硅片少子寿命的影响
为了
连续直拉单晶要求。
在三千公里外的江苏徐州，中能硅业生产分厂黄海龙正在调整还原炉工艺参数。为满足内部硅片用料，10月份的生产计划继续加码。自备电厂低电价全覆盖加上系统优化后，凭借低能耗和低
余万元，硅片产能同比增长37%，平均良率增长2.55%;平均加工成本降低33%。四季度订单饱和。
以实际行动献礼祖国华诞
9月29日，宁夏协鑫晶体总经理陆建伟带队，巡查各部门各车间。过节
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体
不退火，其余四组为在氮气和真空两种环境下进行的退火时间分别为10min及20min的退火实验，每组各200片。退火使用的硅片经过正常的清洗制绒，扩散制结，湿法切边，然后在PECVD炉内采用高折射率工艺
8个产业，进一步细化到40个重点方向下174个子方向，近4000项细分的产品和服务。其中，太阳能产业也被列入《目录》，主要内容包括以下：
太阳能产品
光伏电池及组件。包括晶体硅光伏电池及组件，柔性
换热器、熔融盐泵、蒸汽发生器、滑参数汽轮机、斯特林发电机、有机郎肯循环发电设备、高聚焦比太阳炉。
太阳能生产装备
光伏装备。包括高纯度、低耗能太阳能级多晶硅生产设备、单晶硅拉制设备、多晶硅铸锭装备
晶体生长技术，生产更高品质和更低成本的硅棒和硅锭，对光伏行业提升竞争力、早日实现发电侧平价上网就显得尤为重要。
记者从业内了解到，单晶拉棒技术正在从多次装料拉晶(RCz)向连续拉晶(CCz)过渡。由于
单晶拉棒的时间、坩埚成本和能耗，并且CCz产出晶棒电阻率更加均匀、分布更窄，品质更高。此外，单晶拉棒生产的自动化与智能化有利于提高产能，并优化晶体生长过程的一致性。
此前，多家龙头企业已纷纷布局
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。
1引言
氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体
不退火，其余四组为在氮气和真空两种环境下进行的退火时间分别为10min及20min的退火实验，每组各200片。退火使用的硅片经过正常的清洗制绒，扩散制结，湿法切边，然后在PECVD炉内采用高折射率工艺
的晶体生长炉每一个月可以生产单晶硅圆棒在2,400公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本约60元，电费为0.75元/每度。拉晶技术突破将有效提高硅料产能效率及降低非硅成本。
硅片薄化有利于降低硅耗和
生产效率。国内成功研制全自动连续拉晶技术，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上
