单晶制绒工艺
仍然蕴藏巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。这两年保利协鑫硅片产量提升的原因在于精细化管理和工艺
电阻损耗、减小载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液
载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液
方面着手。（1）减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率
表面制绒是一种更稳定和有效的减反射方法。在工业生产和实验研究中，单晶硅利用各向异性腐蚀在碱液中制绒，硅片表面形成金字塔状结构可以有效地降低硅片表面的光反射率。但是多晶硅晶向不规则，各向同性，不能在碱液中
行业平均水平1~2个档。在钱晶看来，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC背面钝化技术，以及金钢线切多晶硅片加之黑硅表面制绒工艺处理技术都将让多晶的成本优势继续扩大。扩产高效产能 6.5GW出货量预期可
燃起。虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的
方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们
包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶
。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大；B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点
