刻蚀
全新的Centris Sym3刻蚀系统采用创新腔室架构，可使材料清除达到原子级精度
该系统已成功安装于多家客户的主要生产线中，成为公司历史上应用率上升最快的蚀刻设备
加利福尼亚州圣克拉拉
，2015年7月13日 应用材料公司今天宣布推出下一代刻蚀设备Applied Centris Sym3 刻蚀系统。该系统设有全新的反应腔，可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异，Centris
课题。在目前的制造工艺中，单晶或准单晶硅片的通用制绒工艺采用碱液金字塔刻蚀法，硅表面形成随机金字塔结构，可对太阳光进行两次反射，一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形状的凹坑结构是更为理想的绒面
时至今日仍然没有大的进展，成了一个公认的国际难题。中国科学院物理研究所清洁能源实验室研究员杜小龙研究组经过5年多的攻关研究，终于利用纳米金属颗粒催化化学刻蚀这一新工艺在晶硅倒金字塔制绒上取得了重大进展。刘尧
研究表明，太阳能电池上的硅片表面上几分钟内形成的光吸收孔洞与尖峰。在莱斯大学的科学家们进行的试验中，金在黑硅上起到双重作用，其一是作为电极，其二是作为催化剂在几分钟内对硅片表面进行刻蚀
接触辅助性化学刻蚀，这种新方法应用于薄金线的排布，而在传统方法中,金仅用作电极使用。这种方法也不需要去除反应过的催化颗粒。
研究员发现化学浴中，刻蚀反应发生在距金线一定距离的位置上。Barron
330℃的红外炉中加热硅片4min。干刻蚀膏会在几秒内在充满了用去离子水稀释的0.2%的KOH的超声波清洗器中被清除。d1的值可在100-150m范围内，为50m的差距（但真实值约比其大20m，这是
由于刻蚀膏的扩散），丝网印刷后多出的20m的铝接触完全覆盖了背钝化和开缝。样品在烧结炉中烧结后会形成合金，3个发射峰值温度是：750℃、850℃和950℃。深灰色可见区域的宽度值可以用光学显微镜测量
用了双面扩散和激光划线隔离的方式，这种工艺曾经在常规电池里面使用，但后来逐渐被单面扩散和湿法刻蚀技术所取代了。当然MWT电池也同样可以采用改进后的工艺技术，需要注意的是孔洞里面发射极的保护，避免可能的
等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO（d1）可以用丝网印刷蚀刻膏来得到，其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂，介质的腐蚀是通过在330℃的红外炉中加热硅片4min。干刻蚀膏会在几秒内在充满了
用去离子水稀释的0.2%的KOH的超声波清洗器中被清除。d1的值可在100-150m范围内，为50m的差距（但真实值约比其大20m，这是由于刻蚀膏的扩散），丝网印刷后多出的20m的铝接触完全覆盖了背钝化
阶段，在晶体硅太阳能电池生产线的十几种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳模拟仪等已达到或接近国际先进水平，多晶硅
。2014年，国内光伏制造设备水平仍处于快速提升阶段，在晶体硅太阳能电池生产线的十几种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳
清洗机、扩散炉、刻蚀机、PECVD及尾气处理设备、印刷机、烘干炉、烧结炉、石墨舟清洗烘箱、电池测试分选仪、包装设备、传输和装卸载等自动化设备等生产系统耗电，车间内照明、冷却塔、制冷机、空压机、干燥机
、湿法刻蚀用纯水量、电池片二次清洗、PECVD尾气清洗等生产系统取水量，冷却塔、工艺制冷系统、空调系统、空压机系统、环保设备等辅助生产系统取水量或分摊量，以及办公楼、科研楼、检测化验室、厂内食堂、厂内
的清洗要求、丝网印刷前的激光刻蚀精准度要求很高，因此短期内无进一步扩产计划。天合还对IBC电池做成组件的耐候性和衰减率进行了研究：最大功率在热循环试验400次（TC400）、湿冻试验10次循环
晶硅电池要深很多，呈黑色。其核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上，形成nm级的小绒面，纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm，长径比为0.9，从而加大陷光的效果，降低反射率，增加
