刻蚀

，还有形成PN结的硼扩散，即在N型衬底上进行P型掺杂。 常见的定域掺杂的方法包括掩膜法，可以通过光刻的方法在掩膜上形成需要的图形，这种方法的成本高，不适合大规模生产。相对低成本的方法有通过丝网印刷刻蚀
浆料或者阻挡型浆料来刻蚀或者挡住不需要刻蚀的部分掩膜，从而形成需要的图形。这种方法需要两步单独的扩散过程来分别形成P型区和N型区。另外，还可以直接在掩膜中掺入所需要掺杂的杂质源（硼或磷源），一般可以通过

，并且可以折叠、卷曲、粘贴在曲面上（如汽车玻璃、屋顶、衣服等）。课题组对商用硅片进行薄化和纳米线刻蚀处理，进而结合银纳米片的等离激元热电子注入效应，制造出具有力学柔性的近红外太阳能电池。熊宇杰表示，这种新型近红外柔性太阳能电池制造方法简单有效，有望用于发展智能温控型太阳能电池及可穿戴太阳能电池。

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等

全面的湿式化学品，包括高纯度水溶酸、酸碱和刻蚀剂。林德电子(Linde Electronics)负责人Andreas Weisheit表示：林德是东南亚地区领先的气体与化学品供应商，并且在所开展业务的

一项获得美国发明专利授权，一项得到中国发明专利授权，更多的申请还在审理过程中。这些专利申请主要是与正银的配方有关，涉及刻蚀剂的配方和制造工艺，有机载体的配方和制作工艺等。

团队竭尽全力克服调试时间短的问题，提前部署，加紧安装、调试。经过近一个月夜以继日的奋战，技术团队克服了一系列困难，突破创新，提出了诸如在不改动设备的前提下将单晶抛光和多晶刻蚀完美兼容等一系列方案，摸索

，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括P＋扩散、金属电极下重扩散（丝印光阻）以及激光烧结等。IBC电池的工艺流程大致如下：清洗制绒扩散（n＋）丝印刻蚀光阻刻蚀P扩散区扩散（p＋

本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象，分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电，严重影响电池片的
可用一并联电阻RSH来等效。本文主要研究的就是在实际太阳电池生产中的漏电原因。二、晶体硅太阳电池漏电分析从晶体硅太阳电池生产工艺流程看，以下几个因素与电池片漏电有关：1）刻蚀不完全或未刻蚀；2）点状烧穿