刻蚀
本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象，分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电，严重影响电池片的
品质，另外发现Si3N4颗粒、多晶硅晶界等也有可能造成电池片漏电。
关键词：漏电流;点状烧穿;印刷擦片;刻蚀不完全
中图分类号：TK514 文献标识码：A
引言
太阳能发电由于其具有环保、高效
生产出更高效的光电材料。 该研究团队利用自己研发的金属辅助化学刻蚀方法，在半导体上制造出一层规则的金属薄膜，并在金属薄膜上成长出了一簇纳米束，这些纳米束和金属薄膜一起共同组成了半导体的包覆材料。纳米束
伊利诺伊大学和马萨诸塞大学的联合研究小组通过在电子设备的表面包覆一层纳米薄膜，不仅使更多的光透过，而且还能提高材料的电化学性能，从而生产出更高效的光电材料。该研究团队利用自己研发的金属辅助化学刻蚀方法，在
情况。 周肃博士代表公司分享《纳微复合绒面在多晶硅太阳电池中的产业化应用研究》报告 黑硅技术是一项通过金属催化或者反应离子刻蚀的方法在多晶硅表面制备纳微复合结构绒面，并将其应用到多晶硅太阳电池上以降低绒面
平板式PECVD、离子注入机、刻蚀机、原子层沉积镀膜设备（ALD）等关键工艺设备研发领域均有入围。《产业关键共性技术发展指南（2015年）》指出，产业关键共性技术是能够在多个行业或领域广泛应用，并对
多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
缩小。三、切片成本对比多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或
金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
影响黑硅表面的光学特性，然后在黑硅发射极表面原子层沉积Al2O3，起到优异的表面钝化效果。 1.引言黑硅表面有纳米级小山峰，反射率很低。通过优化反应离子刻蚀（RIE）工艺的参数来制作黑硅，由于其在很宽
的波段范围内反射率都很低且接受角广而备受关注。除了RIE还有其他制作黑硅的方法，如激光制绒、金属催化湿化学刻蚀、等离子体浸没离子注入等。黑硅在太阳能电池应用中的一个难题是黑硅表面面积增大而导致表面复合
。Terres等人使用飞秒激光器成功制备出黑硅并验证了其转换效率比非制绒硅电池效率高。局部金属催化湿化学腐蚀的方法也可以制作黑硅，电池效率能达到12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术被广泛应用于制备黑硅
在2%的HCl和10%的HF中去除金属离子、杂质、氧化层。在825℃条件下，使用POCl3扩散。然后边缘刻蚀，在体积分数10%的HF溶液中去除磷硅玻璃。采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)沉积
