刻蚀
痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。
制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法;②气相腐蚀法
;③反应离子刻蚀法(Reactive Ion Etching，RIE);④金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE)。目前，具有量产可能性的
更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法
；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法（Reactive Ion Etching，RIE）；④金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。目前，具有量产
，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法
黑硅技术一直停留在实验室阶段。湿法黑硅技术基本原理如图2所示，采用 Au、Ag等贵金属粒子随机附着在硅片表面，反应中金属粒子作为阴极、硅作为阳极，同时在硅表面构成微电化学反应通道，在金属粒子下方快速刻蚀硅基
气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射
就是采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。
2.2发射区扩散
PN结特性决定了太阳能电池的性能!传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。
但研究发现
，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒
采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。
2.2发射区扩散
PN结特性决定了太阳能电池的性能！传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。
但研究发现表面
绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池的制备工艺主要差别在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。 单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，通过应用制绒辅助液代替或
（通常是碱金族的氢氧化物），将硅表面蚀刻出类似金字塔的微米结构；而黑硅是利用反应离子刻蚀（Reactive-Ion Etching， RIE）在表面蚀刻出奈米等级的小结构。利用碱液蚀刻出来的结构尺度较大
，抗反射效果比较差，而且蚀刻过程损失的硅也比较多；而利用反应离子刻蚀不仅结构小，损失掉的硅也比较少，抗反射效果也比较好。
抗反射有两个重点，一是宽波段，二是广角度。太阳光光谱从紫外光、可见光一路到
单多晶弱光响应能力比较 制程差异 在制程方面，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池的制备工艺主要差别
是明显高于多晶的，这也反映在全年的发电量差别上面。图6 单多晶弱光响应能力比较制程差异在制程方面，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池
全新的Centris Sym3刻蚀系统采用创新腔室架构，可使材料清除达到原子级精度
该系统已成功安装于多家客户的主要生产线中，成为公司历史上应用率上升最快的蚀刻设备
加利福尼亚州圣克拉拉
，2015年7月13日 应用材料公司今天宣布推出下一代刻蚀设备Applied Centris Sym3 刻蚀系统。该系统设有全新的反应腔，可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异，Centris
