刻蚀

。Terres等人使用飞秒激光器成功制备出黑硅并验证了其转换效率比非制绒硅电池效率高。局部金属催化湿化学腐蚀的方法也可以制作黑硅，电池效率能达到12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术被广泛应用于制备黑硅
在2%的HCl和10%的HF中去除金属离子、杂质、氧化层。在825℃条件下，使用POCl3扩散。然后边缘刻蚀，在体积分数10%的HF溶液中去除磷硅玻璃。采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)沉积

痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。 制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法;②气相腐蚀法
;③反应离子刻蚀法(Reactive Ion Etching，RIE);④金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE)。目前，具有量产可能性的

更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法
；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法（Reactive Ion Etching，RIE）；④金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。目前，具有量产

，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法
黑硅技术一直停留在实验室阶段。湿法黑硅技术基本原理如图2所示，采用 Au、Ag等贵金属粒子随机附着在硅片表面，反应中金属粒子作为阴极、硅作为阳极，同时在硅表面构成微电化学反应通道，在金属粒子下方快速刻蚀硅基

气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射
就是采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。 2.2发射区扩散 PN结特性决定了太阳能电池的性能!传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。 但研究发现

，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒
采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。 2.2发射区扩散 PN结特性决定了太阳能电池的性能！传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。 但研究发现表面

绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池的制备工艺主要差别在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。 单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，通过应用制绒辅助液代替或

（通常是碱金族的氢氧化物），将硅表面蚀刻出类似金字塔的微米结构；而黑硅是利用反应离子刻蚀（Reactive-Ion Etching， RIE）在表面蚀刻出奈米等级的小结构。利用碱液蚀刻出来的结构尺度较大
，抗反射效果比较差，而且蚀刻过程损失的硅也比较多；而利用反应离子刻蚀不仅结构小，损失掉的硅也比较少，抗反射效果也比较好。 抗反射有两个重点，一是宽波段，二是广角度。太阳光光谱从紫外光、可见光一路到

单多晶弱光响应能力比较 制程差异 在制程方面，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池的制备工艺主要差别

是明显高于多晶的，这也反映在全年的发电量差别上面。图6 单多晶弱光响应能力比较制程差异在制程方面，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池