低电阻
如白炽灯泡、电阻炉等电阻负荷的功率因数为1，一般具有电感性负载的电路功率因数都小于1。当设备的功率因素小于0.9时，将会被罚款。
要求光伏并网逆变器的功率因素输出为1，并可在0.8超前-0.8滞后
为0.9为例，每超过0.01，将减收电费0.15%;每低过0.01，将加收电费0.5%。看到这里大家也不用担心自己家的电费被多扣，因为这条法令基本是针对用电超过100KW的农业用户和工业用户的，对
技术路线所淹没，呈现昙花一现的光景。
究其原因，主要在于当时做出的产品单晶比例低，顶部缺陷高，外观比较花，市场无法接受。
自2011年以来，协鑫一直对铸锭单晶进行研发改进，借助铸锭设备和相关工艺的
市场竞争力，协鑫还将对各方面工艺进行优化，比如硅片端，电阻率优化、铸锭热场优化、硅片分选方式优化等。
目前，除了协鑫之外，阿特斯、赛维等中国光伏公司都在推广各自的铸锭单晶产品。其中，阿特斯将黑硅技术及
的项目收益率17.11%，收益率提升主要来源于高转换效率、低衰减带来的全周期发电量提升。
从全球市场来看，据PVInfolink统计及预测数据，2017-2023年全球光伏组件出货量中，PERC
大，光生电流就越多，电池片的光电转换效率也就越高;同时，为消除栅线变细后带来导通性降低的问题，则需要相应增高电极栅线的高度，从而降低栅线电阻率。传统丝网印刷工艺在印刷栅线高度方面存在局限性，主要受到浆料
复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变
流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
一些需要高开关频率的场景也适合使用IGBT，IGBT的特点是能提供高的动态性能、转换效率，同时具有低的可听到的噪音。它也适用于谐振模式
℃, 输出功率约下降0.5%。且电池组件在长久阳光照射下, 被灰尘遮盖的部分升温速度远大于未被遮盖部分, 被遮盖部分电池板会由发电单元变为耗电单元, 被遮蔽的光伏电池会变成不发电的负载电阻, 消耗相连电池产生的
特点：
portant; line-height: 28px !important;"清洁成本低、效率高
portant; line-height: 28px !important;"设备盘刷转速
/SiNx叠层膜相比具有更加好的减反射性能和钝化性能。
(5)低损伤金属化接触技术;采用优化的金属浆料体系和双层金属电极结构，下层采用点接触式烧穿型浆料，保证接触电阻的同时有效降低金属-半导体复合
。
(2)低压硼扩选择性掺杂技术;轻掺杂区域表面浓度低至1E19cm-3，表面复合小，钝化后饱和电流密度J020fA/cm2，然后采用激光对金属-半导体接触区域进行重掺杂。
(3)化学回蚀清洗技术
，所以我们前面提到的提效的技术，无论是在干法和湿法上都能完全一个通用的结果，在湿法上主要是对比了一下电阻率的优化，同时王栩生博士也谈到后续多晶结合SE的技术，通过这样一个技术在多晶上也得到效率增益的体现
。
可以看到湿法多晶的效率是完全没有叠加产线提效技术，所以根据量产设备实际情况，湿法黑硅做到20.6%和20.4%。如果叠加像干法提效技术的话，一般湿法的效率比干法低0.2%左右，所以我们湿法黑法
均匀、金属杂质累积速度更慢，产出的晶棒品质更佳，电阻率更加均匀、分布更窄，因此CCz单晶硅片更加适用于PERC 电池及N型电池工艺。此外，由于CCz需要高品质微小多晶硅料，因此CCz的推广将对光伏级
多晶硅生产格局产生深远影响。
多晶铸锭工艺正在从G6铸锭炉向G7甚至G8技术升级，在大幅增加生产能力的同时，需要持续优化热区、辅助材料、铸造工艺和设备。铸锭单晶兼具少子寿命高、位错密度低和低成本等优势，也是硅晶体制造的重要发展方向。
具有很低的接触电阻，并且能长期维持在低的接触电阻。根据光伏连接器国际标准EN50521，接触电阻需小于或等于5m。失效的第2个原因是不同品牌之间的连接器互插，由于技术和产品材料存在差异、生产过程和
)电池即选择性发射极电池，电极接触区重掺(低方阻)具有好的欧姆接触，非电极区浅掺(高方阻)具有好的光谱响应。SE电池优势：降低串联电阻，提高填充因子;减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果;改善
