低电阻

较多，造成不少低质低价产品流入市场，再加上低价中标的招标方式，促使一些设备生产厂家为降低成本不得不降低相关质量要求，也客观上造成了一些电站质量的下降。 1、组件问题 组件作为光伏电站的核心设备
热斑的影响。当一个电池被遮挡时，其他电池促其反偏成为大电阻，此时接线盒中的二极管启动，屏蔽掉含有问题的电池片，从而避免被遮挡电池因过热而损坏。 2、连接器 连接器是另一个容易导致失火的器件，比如

。双面电池组件技术凭借背面发电取得5%~20%发电量增益;半片电池组件降低75%内阻损耗实现功率增益5~10W;多主栅电池电极电阻与电极遮挡同步降低，降低银耗量的同时功率提升5~10W;叠瓦组件无主栅无焊带
越来越低，未来新增电站在设计、建设和运营过程中要吸取经验教训，规避存量电站出现的问题。 ● 通过更加精细化的设计，包括降低线损、优化DC/AC的容配比等方面，可以降低电站的损耗; ● 从设计和设备层面

。 3)逆变器参考电位，理想的参考地可以为系统(设备)中的任何信号提供公共的参考电位，大地可以认为是一个电阻非常低、电容量非常大的物体，拥有吸收无限电荷的能力，而且在吸收大量电荷后仍能保持电位不变
，电压也很低，是属于弱电。强电和弱电是不能接在一起的。 防雷接地：包括避雷针(带)、引下线、接地体等，要求接地电阻小于10欧姆，并最好考虑单独设置接地体。条件许可时，防雷接地系统应尽量单独设置，不与

设计，低串联电阻，提升填充因子，从而提高组件功率;高可靠性的9BB设计：栅线更多，断栅、隐裂影响减小;栅线间距更窄，传输距离缩短，电阻损耗降低;圆形焊带减少遮光面积，并可将光有效反射到电池片，提升阳光

, 可靠性高、衰减度低。 Hi-MO4在六栅线基础上使用了升级PERC技术，电池效率达到22.5%。Hi-MO3正面功率为380W (72片电池), HI-MO4 将正面功率提高到了420W以上, 最高可达
/PID衰减。 赛拉弗光伏 光伏组件制造商江苏赛拉弗光伏系统公司展出了Blade半切电池双面PERC新组件。 赛拉弗表示，与传统组件相比，半切电池组件具有较低的电流和串联电阻, 可最大限度地减少不

，短路电流(Jsc)=42.1mA/cm2，填充因子(FF)=83.2%)。随后，他们使用最佳厚度、低电阻率的硅片，并改变前表面减反层(SiNx/MgF2)，进一步降低光学损失，使得电池效率进一步
。其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12eV，自然界中的原材料丰富，特别是N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料

需要进一步优化，目前半片+多主栅多采用9BB，据天合光能高效组件研发高级经理张舒介绍，多主栅的栅线数量主要取决于电学和光学的平衡，增加栅线数量可以降低串联电阻，但是相应增加遮光面积。多主栅叠加半片技术
后，由于半片本身可以降低串联电阻，故栅线数量可以相对减少，通过模拟及实验研究，我们发现9BB半片组件的功率提升幅度最高。 作为多主栅技术的先行者，天合光能在多主栅的研发和量产方面一直走在行业前列。从

，而其核心元件为绝缘栅双极晶体管(IGBT)，这种晶体管具有驱动电流小、导通电阻低跟耐高电流优势，一台电动汽车约需要 100 个 IGBT 模块，占整体成本的 7-10%，是除电池之外成本第二高的

太阳能电池对单晶硅片内在质量及产品规格提出了更高的要求，除了以不同电阻率区间匹配高效电池需求外，更高的寿命、更低的杂质含量及低缺陷是单晶硅片的主要发展方向。硅片面积增加，一定程度上可以增加输出功率，因此

太阳能电池对单晶硅片内在质量及产品规格提出了更高的要求，除了以不同电阻率区间匹配高效电池需求外，更高的寿命、更低的杂质含量及低缺陷是单晶硅片的主要发展方向。硅片面积增加，一定程度上可以增加输出功率，因此