低电阻

等高功函空穴传输层，及TiOx、LiF、MgOx、低功函金属等电子传输层，与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构，具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势，受到广泛的重视。本报告将详细
讨论 PEDOT：PSS/c-Si、MoOx/c-Si、 c-Si/TiOx、 C-Si/MgOx等界面接触结构的接触电阻和钝化质量，探讨高质量异质结的设计原则。报告涉及通过功能材料的选择和改性

： (1)故障处理不佳：故障停机过多，电站产出偏差较大; (2)运维效率低：由于电站所处地理环境限制、专业技术人员匮乏、电站分散布局造成的现场管理难度加大以及缺乏专业的运维管理系统造成的效率低下; (3
钢化玻璃自爆炸裂; (3)镀膜玻璃脱膜，造成建筑美感丧失; (4)玻璃松动、开裂、破损等。 3.组件定期测试 测试内容：绝缘电阻、绝缘强度、组件IV特性、组件热特性。 4.阵列定期检查及维修

烧结等过程。其中，金属化工艺是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一，不但要保证与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻，同时要为电流输出提供高导通路，是决定电池转化效率和成本高低的主要影响因素之一。 与
量产。此外，该公司还提供：细栅用低电阻浆料、主栅用高焊接拉力浆料、串焊以及叠瓦用导电胶(ECA)等，具备低成本/快速固化/柔软性/高结合拉力的特点。 目前异质结电池生产用低温浆料基本依赖进口，如Kyoto

PERC组件、MBB Poly组件具备更低的遮挡和电阻损失，更高的功率输出，优越的温度特性以及美观精致的多主栅互联结构等优势。 双面单晶PERC半片组件：PERC双面发电的组件结构,背面功率
达到正面功率的70%以上,电力产出提高3%-15%;出色的低辐照和温度系数表现,优异的电力输出能力;更好的可靠性提高项目投资收益,更优的质保降低项目投资风险;抗PID衰减技术叠加双玻结构,适用于恶劣

如电阻率或掺杂浓度、氧含量 和结构缺陷密度等。衰减速率还与施主B元素或Ga元素或者B与Ga化合物有关;Ga掺杂或部分Ga掺杂所带来的收益是被普遍认可的。图三展示了 由电致衰减(CID)测得的经过
。 而CSI使用了合适的CIR工艺;相 比于LIR，CIR有着诸多优势，例如更宽的工艺窗 口，更高的产能，更低耗电和更 低的成本。通过使用CIR工艺，衰减速率可以降低80%。 图四显示了 由CID

新技术来降低单晶硅的生产成本。 HIT电池今后努力的方向：研制低电阻低温浆料，优化沉积工艺，改善钝化层性能，寻求光透过率高及导电性好的发射层取代材料等。同时，精简工艺流程，尝试新型组件结构，进一步降低
优势在于超高电池转换效率，低制程温度以及可向薄型化发展。但是，由于设备初期投资高以及对制程工艺要求严格，大部分厂商对此技术仍在观望阶段。 效率发展及技术趋势 异质结电池具有能量转换效率高、简单的低温

强调，铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀，比多晶增加1%以上的转换效率，同时又保持了多晶的低光衰优势，光衰仅仅是直拉单晶的20%-30%。 杨德仁院士同时指出，铸锭单晶在过去一段时间面临位错
阐述了铸锭单晶的前世今生。会上，来自协鑫的长晶技术总监胡动力博士也在工业化应用的层面介绍了铸锭单晶技术的进展。他表示，在与直拉单晶实现同瓦输出的情况下，铸锭单晶硅片价格低0.3-0.4元/片，给客户

摘要：随着高效晶硅太阳电池技术的发展，低压扩散工艺以其均匀性好，产量大，成本低的优势，成为未来发展的主要方向。对低压扩散工艺进行优化研究可以提高扩散均匀性，从而提升晶硅电池光电转换效率。 PN结
串联电阻过大和发射极易烧穿的问题，提高发射极的方块电阻及均匀性已成为提高电池效率的重要手段。 1晶硅太阳电池扩散工艺原理 制备PN结是晶硅太阳电池生产中最基本、最关键的工序之一。工业生产中，制备PN

了半片PERC电池结构技术，具备低电阻特性，转换效率最高至20.83%，72片单晶组件输出功率最高达到410W。 韩华整合Q.ANTUM与量产六栅线技术升级传统PERC，在传统PERC技术的基础上
2018上半年新项目：N型5BB双面双玻、5BB单多晶单面 双玻、4光4电综合布电线、0.9低烟无卤阻燃多模紧套纤光缆、超柔5/4金属铠装光电混合缆等11项新品 2017年项目： 智能光伏+科技