光伏行业传统的一季度淡季不淡,主要厂家的订单已排到6月份

来源:全民光伏发布时间:2019-01-09 17:08:51
 记者从行业会议上获悉,由于海外订单纷至沓来,光伏行业传统的一季度淡季不淡,主要厂家的订单已排到6月份;

同时,在经过去年的洗牌后,毛利率也在稳步回升,我国光伏行业将重回增长之路。

据集邦新能源网的供给数据库,中国前五大多晶硅厂的新产能预计在2019年二季度陆续开出,届时前五大厂商的产能将占全球近70%,且现金成本更具竞争力。

在硅片环节,则将呈现隆基与中环双龙头主宰市场的现象。

目前A股做单晶硅片,就隆基股份,中环股份

隆基

"隆基单晶硅"作为"隆基股份"旗下三大品牌之一,立足于西安,充分利用地区资源优势,依托健康的财务状况和强大的研发团队,以西安为中心进行产业布局和优化,包括银川、中宁、无锡、 云南的楚雄、保山和丽江等地,自2015年起已发展成为全球生产规模最大的单晶硅产品制造商,并于2016年在马来西亚建立新的海外生产基地。截止2016年底产能已达7.5GW, 2017年底隆基单晶 产能将达到15GW,并将持续以每年50%的增长步伐扩大产能为隆基的全球化产能增长和单晶产品的充足供应提供有利的资源保障。

"隆基单晶硅"独具前瞻性视野,致力于向世界提供更可靠、更高效的单晶产品,携手国际数十家著名光伏研究室以及国内多家科研机构和院校,投入大量资金铸造强大的单晶研发平台,汇聚全球 700余名技术研发人才的智慧,制定129项公司授权专利,奠定隆基单晶产品在行业的技术领先地位;并率先同其他单晶制造商提出"统一单晶硅片尺寸"的理念,有力推动行业标准化发展,推动单晶 硅片"薄片化"发展,推动N型高效单晶硅产品的市场份额提升。"隆基单晶硅"拥有世界领先的金刚线切割工艺,2015年在行业内率先实现单晶硅片100% 金刚线切割,持之以恒的加强精益化质量 管理体系的建立,确保每一片单晶硅片都具备优良的品质标准,满足客户要求。

隆基人以科学严谨的态度,不遗余力的对单晶硅棒的生产工艺进行改良和提升,改进RCZ拉晶工艺,降低氧含量、提高晶棒寿命值,精准把控产品的每一个制造环节,在独有的世界一流的智能化 制造车间内,多晶硅原料被装入隆基人自行研制改良的单晶炉,经过严苛的拉晶工艺,制造出拥有完美晶格的单晶硅棒。

隆基单晶硅片价格涨幅情况



中环

天津中环半导体股份有限公司成立于1999年,前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂,2004年完成股份制改造,2007年4月在深圳证券交易所上市,股票简称“中环股份”,代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技术企业,公司注册资本482,829,608元,总资产达20.51 亿。

2017 年 11 月 28 日中环股份发布公告:拟向国电科环发行 8,344 万股购买国电光伏 90%股权(作价 6.44 亿元),发行价 7.74 元/股,同时拟募集配套资金不超过 4.16 亿元,其中中环集团认购金额不超过 1.25 亿元;拟将对新疆协鑫的出资由 1.5 亿元增加至 4.5 亿元,股权比例由 10%增加至 30%,中能硅业股权比例由 90%调整为 70%;拟由公司及全资子公司中环香港、无锡发展、晶盛机电共同投资组建中环领先半导体材料有限公司,其中公司出资占比 30%、中环香港占比 30%、无锡发展占比 30%、晶盛机电占比 10%;拟对中环协鑫增资 29.9 亿元,其中公司增资 4.49 亿元,中环光伏增资 16.45 亿元、苏州协鑫增资 8.97 亿元,各方股东持股比例不变;单晶硅片龙头,与隆基股份分享单晶盛宴。

公司一直专注于单晶硅的生产和研发,以单晶硅为基础向下分别涉及半导体和光伏两个领域。 其中在光伏领域,在公司启动的四期单晶硅扩产项目达成后,单晶硅片产能有望达到 15GW 左右,与隆基股份的产能已经较为接近。公司与隆基股份是行业内一直坚定走单晶路线的两家企业, 今年以前公司单晶硅片主要用于出口,但今年在国内单晶硅片需求大增的背景下,公司也加大了对国内市场的出货量,预计今年国内出货量占比将提升至 50%左右。


2016-2018新增多晶铸锭、单晶拉棒的扩产项目,如下表所示。可见,在本轮产能扩张中,企业更倾向于单晶产能建设,硅锭硅棒新增项目投资额高达640亿元,新增产能将达100GW。


中环股份与隆基股份的财务指标比较

隆基股份:2018三季报净利润16.91亿 同比下降24.53%


中环股份:2018三季报净利润4.26亿 同比下降6.02%


 

放在整个A股来看,中环连续3年多收入实现正增长,只不过,有了隆基这个凶悍的参照标的才显得有些失色。

总结

从技术角度看,多晶铸锭和单晶拉棒工艺仍有持续优化和改进的空间。

单晶拉棒技术正在从目前主流的多次装料拉晶(RCz)向下一代连续拉晶(CCz)技术过渡。CCz技术采用特殊直拉单晶炉,一边进行单晶拉制,一边加料熔化,在坩埚所允许的寿命周期内可完成8-10根的晶棒拉制。相对RCz拉晶技术,CCz技术氧含量更低且更均匀、金属杂质累积速度更慢,产出的晶棒品质更佳,电阻率更加均匀、分布更窄,因此CCz单晶硅片更加适用于PERC 电池及N型电池工艺。此外,由于CCz需要高品质微小多晶硅料,因此CCz的推广将对光伏级多晶硅生产格局产生深远影响。

多晶铸锭工艺正在从G6铸锭炉向G7甚至G8技术升级,在大幅增加生产能力的同时,需要持续优化热区、辅助材料、铸造工艺和设备。铸锭单晶兼具少子寿命高、位错密度低和低成本等优势,也是硅晶体制造的重要发展方向。


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