二极管

混合卤化物溴碘钙钛矿量子点为红色钙钛矿发光二极管提供了出色的光谱可调性，但表面缺陷会促进卤化物迁移和非辐射复合，从而降低器件性能。后处理策略在乙腈中使用短而强结合的无机配体同时蚀刻富铅表面并钝化CsPb3PeQD中的缺陷。乙腈通过强Pb配位温和地去除铅缺陷，同时保持QD完整性，这与DMSO或DMF等极性溶剂不同，DMSO或DMF会损坏PeQD。KSCN和GASCN牢固吸附以钝化不配位的Pb位点，产生具有增强PLQY、提高稳定性和优异薄膜电导性的高质量PeQD。

有机-无机杂化锑卤化物作为无铅钙钛矿发光二极管材料备受关注，但其非辐射复合强、电荷传输差等问题限制了电致发光性能。本研究郑州大学马壮壮和史志锋等人基于定制的主客体结构SbCl发光体，开发出高效锑卤化物LED，兼具良好发光与电荷传输性能。以35DCzPPy为主体材料的主客体结构进一步增强辐射复合，源于Type-I能级结构和高效能量转移。该工作为高性能金属卤化物LED的实际应用提供了重要借鉴。

尽管单结量子点发光二极管在效率和稳定性方面已取得显著进展，但常规结构的串联QLEDs性能仍远落后于倒置结构。最终，常规串联QLEDs实现了创纪录的51.2%外量子效率、31,383小时的超长寿命以及2.8V的超低开启电压。这一成果为QLED在下一代显示和照明领域的商业化应用铺平了道路。性能突破：纯绿光PeLED的EQE达19.7%，亮度超23000cd/m，CIE坐标逼近BT.2020标准，处于领域领先水平。

南京工业大学（NanjingTech）和华南理工大学（South China University of Technology）的研究人员展示了一种逐层（Layer-By-Layer，LBL）热蒸发策略，以制备具有可调发射波长的高质量钙钛矿发光薄膜。

21,600个类旁路二极管结构，使单位面积理论发电量较常规TOPCon 组件高出10%以上。当组件局部被电线杆、树叶等遮挡时，这种创新设计能够引导电流自主绕行受阻区域，将局部温度控制在80多摄氏度。大幅降低

下30秒内将电压降至安全范围;防反二极管可防止反向电流冲击。运维安全规范要求：必须使用1000V等级的绝缘工具;在潮湿天气暂停户外作业;系统检修时严格执行"上锁挂牌"程序;定期测试绝缘电阻(要求≥1M

权威性与公信力。Hi-MO X10组件基于隆基跨时代的HPBC2.0电池技术打造，拥有独特的类旁路二极管结构。在实际应用场景中，光伏组件常因树木、建筑、设备等遮挡，导致发电效率大幅降低，甚至引发

钙钛矿量子点因其优异的光电特性和溶液法制备的便利性，在太阳能电池和发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。然而，在高温热注入合成过程中，配体之间的酰胺化反应会导致PbX2沉淀，进而引发缺陷形成，降低

白光发光二极管中的重吸收和色漂移问题，并实现高质量照明。该研究成功地制备了 Cs2NaLuCl6: 5%Ag+, 5%Bi3+, 1%Sb3+ 荧光粉，其发射光谱覆盖整个可见光区域 (400-800