二极管

混合卤化物钙钛矿发光二极管面临着场相关相分离的关键挑战。用配体锚定的离散胶体CsPbX3纳米晶体有望抑制相分离，但当其作为发射膜集成到LED中时，离子迁移如何进行仍是一个谜。具体而言，需要分离单个

钙钛矿发光二极管(PeLEDs)因其高效率和色纯度成为下一代显示技术的潜力候选者。然而，PeLEDs在高电流密度(100 mA cm⁻²)下的操作不稳定性仍是重大挑战。鉴于此，浙江大学赵保丹&狄

该文章研究了如何通过控制界面来提升准二维钙钛矿发光二极管 (Pero-LEDs) 的性能。准二维钙钛矿具有高激子结合能和优异的光致发光量子产率，但在Pero-LEDs中却存在载流子注入不平衡和非

中晶微电投后估值约3.95亿元，相较于同行业上市公司估值水平，属于合理区间。值得关注的是，苏州固锝在公告中强调，此次投资旨在"加强产业链上下游协同"。作为国内二极管制造龙头，苏州固锝正加速向第三代

二极管模型模拟结果完全吻合，但与实际测量值相比仍存在差异。随后分析了表达式中未考虑因素的不同影响，研究表明调整理想因子或考虑边缘复合效应可提高预测精度。此外，对于具有非均匀隐含开路电压分布的电池，表达式
乘积的比值来计算。提取这些参数的方法之一是使用单二极管模型，其方程式如下：其中，J为电流密度，JL为光生电流密度，J0为暗饱和电流密度，V为电压，Rs为串联电阻，n为理想因子，VT为热电压，Rsh为并联

最近，钙钛矿发光二极管(PeLED)因其卓越的特性，包括高色纯度和可微调的发射波长，在彻底改变显示技术方面展现出显著的潜力，成为光电子学的前沿研究领域。最先进的纯碘 PeLED 外部量子效率
纳米(深红光)波长范围内的红光发光二极管的性能尚未达到上述高度，仍有待进一步提高。阻碍设备性能的一个关键挑战是通过溶液加工合成的钙钛矿薄膜中的缺陷。卤素空位缺陷因其形成能量低而在金属卤化物钙钛矿中十分

为论文共同第一作者，山东大学李佳硕教授和林雪平大学 Feng Gao教授为论文共同通讯作者。钙钛矿发光二极管(PeLED)技术有望成为下一代照明和显示技术的领跑者。尽管该技术发展迅速，但高性能钙钛矿

钙钛矿发光二极管(PeLED)的发展面临关键瓶颈：卤素空位缺陷显著制约器件性能，而传统钝化策略在抑制缺陷的同时易引发结构失稳并导致体系复杂化。鉴于此，中国科学院半导体研究所张兴旺&游经碧在

推出了Hi-MO X10三防组件，通过防起火、防遮挡和防积灰的设计应对常见的安全隐患，也是针对上述场景风险提出的更安全可靠的解决方案该组件独有的类旁路二极管技术可以在热斑产生时将热斑区域实现二极管导

钝化了表面缺陷。未来展望：1.扩展到其他多层结构设备：文档指出，设计结合了聚合物电荷传输层的策略可以普遍应用于其他多层结构设备。未来的研究可以探索这种双侧面锚定技术在有机光伏器件、发光二极管(LED