二极管
本文山东大学于伟泳和王亮等人提出在热蒸发的CsPbCl:Yb体系中策略性地设计局域束缚激子。实验表明，束缚激子显著促进了从CsPbCl基质到Yb掺杂剂的能量转移，揭示了一条此前未知的激子能量转移通道。
实现高量子效率与光谱稳定性的蓝光钙钛矿发光仍具挑战。本文韩国庆熙大学JaeWoongJung等人提出一种使用硫脲作为添加剂的多价调控策略，制备出相位纯净的准二维钙钛矿薄膜。最终，含硫脲的准二维钙钛矿发光体在466nm处实现纯蓝光发射，半高宽仅16nm，对应CIE色坐标，覆盖约99%Rec.2100蓝光原色标准。本研究展示了多价分子工程在推动高性能、色纯蓝光PeLEDs方面的潜力。
倒置结构钙钛矿量子点发光二极管因其与n型薄膜晶体管驱动的有源矩阵面板兼容，在下一代显示技术中具有重要前景。然而，ZnO电子传输层与钙钛矿量子点之间的界面反应会导致严重的降解和荧光猝灭，限制器件效率和运行稳定性。为此，南京理工大学徐勃和瑞典林雪平大学GlibV.Baryshnikov等人引入了一种双协同界面钝化策略，采用季戊四醇四作为多功能缓冲层。本工作确立了基于PETMP的钝化方法在高性能倒置Pe-QLED及其他光电器件中的变革潜力。
混合卤素CsPbClBr钙钛矿量子点已成为纯蓝色发光二极管的有力候选材料。本文郑州大学姚纪松和宋继中等人提出了一种阳离子-阴离子对辅助合成策略，用于制备高质量的CsPbClBrQDs。得益于这种阳离子-阴离子对的协同钝化效应，QDs的光致发光量子产率从42%提升至86%。同时，QDs表现出高结晶质量，有利于载流子传输。本研究表明，协同离子对钝化策略是实现高效稳定纯蓝色钙钛矿LED的一种实用设计方法。
本研究中国台湾国立成功大学郭宗枋等人探讨了钙钛矿基发光二极管在储存过程中的降解机制，发现即使在相对惰性的环境下，也会随时间形成不发光的电致发光暗区。分析表明，阴极降解是阻碍电荷注入并驱动这些图案形成的主导因素。这项工作确定了Al阴极降解是PeLED储存稳定性的主要限制因素，并强调了稳定电极材料和界面工程在延长钙钛矿光电器件寿命方面的潜力。
三星显示、韩国科学技术院和檀国大学的研究人员最近报告了一种纯蓝色钙钛矿发光二极管的原位钝化策略，该策略有望通过真空热蒸发制造下一代显示器。这种策略尤为重要，因为钙钛矿发光器件与许多溶液处理材料不同，可以使用已用于OLED生产的相同工具进行真空热蒸发。该团队优化的器件发射波长为472纳米，窄线宽为19纳米，符合Rec.2020纯蓝色标准，外部量子效率达到3.1%，据说是迄今为止报道的热蒸发纯蓝色PeLED的最高水平。
锡卤化物钙钛矿作为环境友好型材料，有望实现发射波长可延伸至近红外区域的发光二极管。本研究哈尔滨工业大学(深圳)陈怡沐、南京工业大学王娜娜和电子科技大学白赛等人系统探究了两种典型氨基酸——L-苯丙氨酸和L-酪氨酸作为添加剂在调控异质结构锡钙钛矿发光层及其PeLEDs性能中的作用。文章亮点氨基酸添加剂精准调控结晶与抗氧化：Tyr凭借酚基团显著延缓锡钙钛矿结晶、抑制Sn氧化，获得高均匀、低缺陷的发光层，PLQY高达45%。
尽管Ruddlesden-Popper型准二维钙钛矿在红、绿、蓝光发光二极管中取得了外量子效率超过20%的成果，但其光谱稳定性和工作稳定性仍是制约其进一步发展的主要挑战。该策略为准二维钙钛矿的构建提供了新思路，实现了蓝光钙钛矿LED的高效与高稳定性。文章亮点混合型结构设计：通过RP型与DJ型钙钛矿的混合，结合PentA与PentDA双胺阳离子，实现了相分布调控与范德瓦尔斯间隙的消除，显著提升材料稳定性和发光效率。
加工溶剂对钙钛矿的结晶和光电性能具有重要影响。DMSO与Pb的强配位能力过度影响钙钛矿的结晶过程，通常需要反溶剂工程来调控结晶。本文中国科学院刘剑和谢志元等人提出了一种由2-甲氧基乙醇和碳酸丙烯酯组成的弱配位共溶剂策略，用于制备准二维钙钛矿和PeLEDs。关键的是，2-ME:PC混合物可调的中等溶剂化强度促进了钙钛矿结晶，同时抑制了有害的低维相生长，从而实现了无反溶剂制备高质量甲脒基准二维钙钛矿。
研究意义破解QLEDs稳定性瓶颈：首次通过晶格匹配分子设计实现器件工作寿命超过2.3万小时，推动钙钛矿QLEDs商业化进程。深度解析图1展示了晶格匹配的多位点锚定分子设计策略。图4展示了量子点发光二极管的器件性能。结论展望本研究通过精准设计晶格匹配多位点锚定分子TMeOPPO-p，实现了钙钛矿量子点表面缺陷的有效钝化与晶格稳定，成功制备出EQE近27%、工作寿命超过2.3万小时的高性能QLED器件。
