二极管
金属卤化物钙钛矿是用于发光二极管(LED)的很有前景的材料。利用纳米晶体/量子点、低维钙钛矿和超薄钙钛矿层对电荷载流子进行空间限制，都被用于提高钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率。然而
系数、高的缺陷容忍度、出色的载流子特性和优异的光电性质，使其在光伏电池、发光二极管、光电探测器等半导体器件领域展现出优异的性能而备受关注。尽管钙钛矿具有带隙可调性，但其光吸收依然受限于1000 nm
技术水平。基于TOPCon的钝化接触技术，一道新能已经研发了3.5代DBC技术。DBC3.0 Plus通过高精度图形化技术、P/N区混合钝化技术、0BB金属互联技术、嵌入型旁路二极管技术以及黑硅绒面
把握技术创新规律，将研发作为核心战略支点，年均研发投入达140亿元，高于制造业平均水平。通过构建“应用研究-前沿探索-产业转化”的三级创新体系，在量子点显示(QLED)、印刷OLED(有机发光二极管
;防火与抗遮挡技术：通过等效旁路二极管设计，HIBC组件在局部遮挡时可挽回70%功率损失，同步降低遮挡处发热功率，从技术层面杜绝热斑起火风险，全面保障分布式场景安全。以终为始 扩大BC生态圈本次发布会
随着Sn含量增加而发生的结构转变结合在一起，正如在带隙和光致发光光谱中观察到的那样。由这些材料薄膜制成的光电二极管在不同光强下随时间推移表现出稳定且显著的光响应。将3D类钙钛矿与多种阳离子模板化并与
，30 oC)，经过 1,800 小时后，仍保留了其初始 PCE 的 92 %。为了进一步证明这一思路的普适性，我们也制造了蓝色钙钛矿发光二极管 LED。其外部量子效率 (EQE) 达到了 14.78
混合卤化物钙钛矿发光二极管面临着场相关相分离的关键挑战。用配体锚定的离散胶体CsPbX3纳米晶体有望抑制相分离，但当其作为发射膜集成到LED中时，离子迁移如何进行仍是一个谜。具体而言，需要分离单个
钙钛矿发光二极管(PeLEDs)因其高效率和色纯度成为下一代显示技术的潜力候选者。然而，PeLEDs在高电流密度(100 mA cm⁻²)下的操作不稳定性仍是重大挑战。鉴于此，浙江大学赵保丹&狄
该文章研究了如何通过控制界面来提升准二维钙钛矿发光二极管 (Pero-LEDs) 的性能。准二维钙钛矿具有高激子结合能和优异的光致发光量子产率，但在Pero-LEDs中却存在载流子注入不平衡和非
