近红外(NIR)钙钛矿发光二极管(PeLEDs)在量子效率方面已经取得了显著提升,但其有限的亮度仍然是实际应用的一大制约因素。在此,我们展示了一种通过引入溶液法制备的铝掺杂氧化锌(AZO)电子传输层(ETL)来提升NIR PeLEDs亮度的高效方法。系统的结构、光学和电子学表征显示,AZO能够改善电子传输性能、优化能级匹配,并增强电荷注入动力学。因此,结合AZO的FAPbI3 PeLEDs展现出优异的亮度达3313.9 W/sr m²,比参考器件提高了146%。电化学阻抗谱(EIS)进一步证实,其电荷转移电阻显著降低(1178.02 Ω),表面电荷复合电阻下降(397.11 Ω),表明载流子传输和复合更加高效。

PeLEDs配置。(a) 器件结构,(b) 能级图。J. Mater. Chem. C, 2025, 13, 21090
近红外(NIR)钙钛矿发光二极管(PeLEDs)在夜视成像、无损生物成像和光通信等先进应用中正日益受到关注。这些技术利用了钙钛矿材料独特的光电特性,如高色纯度和可调发射波长。在短短十年间,NIR PeLEDs 的器件量子效率已经显示出显著提升,从不足1%提高到超过20%,并逐渐接近最先进的有机发光二极管(OLEDs)。然而,尽管量子效率表现出色,NIR PeLEDs 仍面临重大挑战,尤其是在实现高亮度方面,这限制了其实际应用。根据 Li 及其同事的最新研究,NIR PeLEDs 的最高亮度已测得为1593 W/sr m²。
据我们所知,以前没有研究专门探讨过在PeLEDs中使用AZO作为电子输运层(ETL)。以往的研究主要集中在AZO在钙钛矿太阳能电池中的应用,而不是在PeLEDs中,这突显了本研究的新颖性和重要性。为进行比较,我们使用未掺杂的ZnO制造了近红外PeLEDs,作为参照。基于AZO的PeLEDs表现出显著优异的性能,实现了峰值亮度为3313.9 W/sr m²,外量子效率为12.6%,功率效率为8.8%,开启电压低至1.4 V。这些结果确立了AZO作为高性能近红外PeLEDs的高效电子输运层(ETL)的地位,使其成为下一代高功率光电子应用(包括先进照明系统和近红外激光二极管)的有前景平台。
这些结果表明电荷注入增强、载流子传输加快、复合效率提升,从而有助于器件性能的显著改善。成功将AZO作为电子传输层的应用标志着高亮度近红外PeLED发展的关键进展,为其在下一代光电子器件中的应用铺平了道路,包括高强度显示器和近红外光发射技术。这项工作提供了一种可扩展且有效的策略,以克服NIR PeLEDs亮度的限制,推动其在高强度光电子应用中的潜力,包括下一代显示技术和近红外光源。
(消息来源:J. Mater. Chem. C, 2025, 13, 21090)
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