混合卤化物溴碘钙钛矿量子点(PeQD)为红色钙钛矿发光二极管(PeLED)提供了出色的光谱可调性，但表面缺陷会促进卤化物迁移和非辐射复合，从而降低器件性能。为了解决这个问题，宁波大学研究团队开发了一种创新的后处理策略，利用乙腈中的类卤素无机配体，同时原位蚀刻富铅表面和钝化缺陷。
该方法可产生高质量的CsPb(Br/I)3PeQDs具有抑制卤化物迁移、增强的光致发光量子产率(PLQY)和改善薄膜电导率的PeQD。
后处理策略在乙腈中使用短而强结合的无机配体(硫氰酸钾(KSCN)和硫氰酸胍(GASCN))同时蚀刻富铅表面并钝化CsPb(Br/I)3PeQD中的缺陷。乙腈通过强 Pb²⁺ 配位温和地去除铅缺陷，同时保持QD完整性，这与 DMSO 或 DMF 等极性溶剂不同，DMSO 或 DMF 会损坏PeQD。KSCN 和 GASCN 牢固吸附以钝化不配位的Pb²⁺ 位点，产生具有增强 PLQY、提高稳定性和优异薄膜电导性的高质量 PeQD。
(消息来源：perovskite-info.com, Applied Materials Today)
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