尽管单结量子点发光二极管(QLEDs)在效率和稳定性方面已取得显著进展，但常规结构的串联QLEDs性能仍远落后于倒置结构。本研究广西大学张恒等人通过引入超薄(≈4 nm)氧化铟锡(ITO)电荷生成层(CGL)，并结合2PACz:6PA界面偶极层(IDL)和Al-Al₂O₃电子阻挡层(EBL)，系统优化了电荷注入平衡与光提取效率。最终，常规串联QLEDs实现了创纪录的51.2%外量子效率(EQE)、31,383小时(1000 cd/m²下)的超长寿命(T₉₅)以及2.8 V的超低开启电压。得益于其快速响应(≈4.8 µs)，研究团队首次成功制备了8×8无源矩阵显示面板，可稳定呈现无闪烁的静态或动态色彩图像。这一成果为QLED在下一代显示和照明领域的商业化应用铺平了道路。
文章亮点
多功能协同优化：KOTf通过磺酸基配位钝化Pb²⁺缺陷、氢键调控相态分布，以及K⁺促进结晶，同步解决准二维钙钛矿的三大关键问题。
性能突破：纯绿光PeLED的EQE达19.7%，亮度超23000 cd/m²，CIE坐标(0.17, 0.77)逼近BT.2020标准，处于领域领先水平。
稳定性提升：器件工作寿命(T₅₀)延长至50.8分钟，是未处理器件的9.6倍，薄膜疏水性增强，存储稳定性显著改善。
D. Yang, Y. Wang, J. Xie, D. Pan, B. Zou, and H. Zhang, “ Regular Tandem Quantum Dot Light-Emitting Diodes with over 51% External Quantum Efficiency for Next-Generation Displays.” Adv. Mater. (2025): e08173.
https://doi.org/10.1002/adma.202508173
索比光伏网 https://news.solarbe.com/202508/18/50006302.html
