量子点发光二极管

倒置结构钙钛矿量子点发光二极管因其与n型薄膜晶体管驱动的有源矩阵面板兼容，在下一代显示技术中具有重要前景。然而，ZnO电子传输层与钙钛矿量子点之间的界面反应会导致严重的降解和荧光猝灭，限制器件效率和运行稳定性。为此，南京理工大学徐勃和瑞典林雪平大学GlibV.Baryshnikov等人引入了一种双协同界面钝化策略，采用季戊四醇四作为多功能缓冲层。本工作确立了基于PETMP的钝化方法在高性能倒置Pe-QLED及其他光电器件中的变革潜力。

混合卤素CsPbClBr钙钛矿量子点已成为纯蓝色发光二极管的有力候选材料。本文郑州大学姚纪松和宋继中等人提出了一种阳离子-阴离子对辅助合成策略，用于制备高质量的CsPbClBrQDs。得益于这种阳离子-阴离子对的协同钝化效应，QDs的光致发光量子产率从42%提升至86%。同时，QDs表现出高结晶质量，有利于载流子传输。本研究表明，协同离子对钝化策略是实现高效稳定纯蓝色钙钛矿LED的一种实用设计方法。

研究意义破解QLEDs稳定性瓶颈：首次通过晶格匹配分子设计实现器件工作寿命超过2.3万小时，推动钙钛矿QLEDs商业化进程。深度解析图1展示了晶格匹配的多位点锚定分子设计策略。图4展示了量子点发光二极管的器件性能。结论展望本研究通过精准设计晶格匹配多位点锚定分子TMeOPPO-p，实现了钙钛矿量子点表面缺陷的有效钝化与晶格稳定，成功制备出EQE近27%、工作寿命超过2.3万小时的高性能QLED器件。

混合卤化物溴碘钙钛矿量子点为红色钙钛矿发光二极管提供了出色的光谱可调性，但表面缺陷会促进卤化物迁移和非辐射复合，从而降低器件性能。后处理策略在乙腈中使用短而强结合的无机配体同时蚀刻富铅表面并钝化CsPb3PeQD中的缺陷。乙腈通过强Pb配位温和地去除铅缺陷，同时保持QD完整性，这与DMSO或DMF等极性溶剂不同，DMSO或DMF会损坏PeQD。KSCN和GASCN牢固吸附以钝化不配位的Pb位点，产生具有增强PLQY、提高稳定性和优异薄膜电导性的高质量PeQD。

尽管单结量子点发光二极管在效率和稳定性方面已取得显著进展，但常规结构的串联QLEDs性能仍远落后于倒置结构。最终，常规串联QLEDs实现了创纪录的51.2%外量子效率、31,383小时的超长寿命以及2.8V的超低开启电压。这一成果为QLED在下一代显示和照明领域的商业化应用铺平了道路。性能突破：纯绿光PeLED的EQE达19.7%，亮度超23000cd/m，CIE坐标逼近BT.2020标准，处于领域领先水平。

钙钛矿量子点因其优异的光电特性和溶液法制备的便利性，在太阳能电池和发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。然而，在高温热注入合成过程中，配体之间的酰胺化反应会导致PbX2沉淀，进而引发缺陷形成，降低
结果表明，合成的CsPbI3量子点缺陷密度降低，PLQY提高，载流子传输能力增强，基于该量子点制备的LED和太阳能电池性能显著提升，分别达到28.71%的最大外量子效率和16.20%的最高功率转换效率

金属卤化物钙钛矿是用于发光二极管(LED)的很有前景的材料。利用纳米晶体/量子点、低维钙钛矿和超薄钙钛矿层对电荷载流子进行空间限制，都被用于提高钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率。然而

随着平板显示和固态照明应用的不断发展，对更高效、更亮的薄膜发光二极管(LEDs)的需求日益增加，这推动了对三维(3D)钙钛矿材料的研究。三维钙钛矿因其高电荷迁移率和低量子效率下降的特性而引起了科学家
表明，采用低维度的钙钛矿结构，如多量子阱或量子点结构，可以有效抑制非辐射复合，实现接近100%的光致发光量子效率。然而，这些低维度钙钛矿材料往往具有较低的电荷迁移率，并受到Auger复合的限制，限制了

基于钙钛矿量子点的发光二极管(LED)的外量子效率(EQE)超过25%，并且具有窄带发射，但这些LED的工作寿命有限。钙钛矿量子点薄膜中较差的长程有序性(点大小、表面配体密度和点对点堆叠的变化)会
抑制载流子注入，从而导致工作稳定性较差，因为在这些LED中产生发射所需的偏压较大。鉴于此，2024年5月8日苏州大学廖良生于Nature刊发长程有序使量子点发光二极管保持稳定的研究成果，报告了一种化学