三栅线电极
所谓选择性发射极(SE-selectiveemiter)晶体硅太阳电池，即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应
栅产品的产业化。 为什么多主栅技术能够被推向产业化? 光伏平价时代的电站系统对光伏组件提出了三大主要要求:高功率、高可靠、低成本,而MBB技术在这三大因素上都有突破，具备产业化发展的前提。 高
等研究人员创新地设计出了一种搓板式结构，结合了叠瓦与平板式的结构，每一条有10块电池串联构成，后一片电池背面压在前一片电池主栅上，具备叠瓦扩大电池片受光面积的同时，减小了串联电阻，也解决了电极保护问题
介入了拉制第一根硅单晶，又为公司申报了两项专利，论文陆续在权威学术期刊上发表，公司三次提高她的年薪，另一家半导体公司开出更高的价格，想挖走林先生。面对种种优惠条件和常人梦寐以求的诱惑，林先生冲破重重
结构电极容易损坏，叠瓦结构可靠?性较差，工艺复杂。
于是，黄运衡和 江明洛等研究人员创新地设计出了一种搓板式结构，结合了叠瓦与平板式的结构，每一条有10块电池串联构成，后一片电池背面压在前一片电池主栅上
，她被聘为从事半导体科研工作的索菲尼亚公司高级工程师，成功地介入了拉制第一根硅单晶，又为公司申报了两项专利，论文陆续在权威学术期刊上发表，公司三次提高她的年薪，另一家半导体公司开出更高的价格，想挖走林先生
出了交叉指式背接触(IBC)太阳电池，其结构示意图如图3所示。IBC太阳电池最显著的特点是PN结和金属接触都处于太阳电池的背部，前表面彻底避免了金属栅线电极的遮挡，结合前表面的金字塔绒面结构和减反层组成的
单位面积的产出尤为关注。因此，组件产品的高效率、低成本是日企衡量组件供应方实力的重要指标。苏美达辉伦则在日本市场重点推广MWT组件，该款组件不仅在电池片环节就具有无主栅线、增大受光面积的特点，在组件环节
不仅为同行所称道，更是获得海内外客户的高度认同。
以单晶PERC半片MWT组件为例，由于采用创新设计，该产品组件效率得到明显提升，但功能损耗却出现显著下降。首先，该产品采取全电极背接触技术，将电池片的
:关键在于印刷精度的提升，标志性突破为实现二次印刷。如前文所述，光伏组件的转换效率提升是光伏系统建设成本下降的关键因素。在丝网印刷环节中，所印刷的电极栅线(光辐射面)宽度越细，则硅片接收光辐射的面积就越
Through)的缩写，即无主栅的背接触电极技术。常规电池片一般有多条主栅线及后续焊带焊接互联，有了主栅线和焊带就造成可摄入光的减少，所以最好的选择就是做背接触式。 日托光伏另辟蹊径，将电池片正面的电流汇聚到
中来N型单晶双面TOPCon电池技术基于N型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，电池的背表面为H型栅线电极，可双面发电。 中来N型单晶
(InterdigitatedBackContact，交叉指状背接触)因其全背电极结构设计而得名，在其结构设计中，导出电流的正、负电极金属化栅线设计在太阳电池的背面，是目前商品化晶体硅电池中难度最高的技术
