三栅线电极
效率提升的方法，都是厂家努力的方向。
双面、半切与多栅线的应用
除了在电池制造上面做突破之外;组件端的变化也是厂家们努力提升能力的一项环节。以2018年初日本PV EXPO展为例;各家组件厂展示
的产品都不会遗漏半切(Half Cut, HC)技术与多栅线(Multi-Bus Bar, MBB)技术的相关产品;甚至是多重技术叠加，有些厂家甚至展示PERC技术叠加双面技术的产品，这些讯息也
得名，在其结构设计中，导出电流的正、负电极金属化栅线设计在太阳电池的背面，是目前商品化晶体硅电池中难度最高的技术，标志着晶体硅研发制造技术的最高水平。同时，IBC电池由于正面没有任何电极，具有外形美观等
线（bus bar）电极的构造，与原来采用两条主栅线电极的构造相比，可在增大采光面积的同时降低电极电阻，因此受到越来越多的采用。京瓷从2004年开始量产三栅电极构造的太阳能电池模块。另外，三菱电机还
太阳能电池模块厂商外，京瓷还将根据情况，对经营模块的销售店及发电企业提起专利侵权诉讼，要求损害赔偿并停止侵权行为。涉及的专利是京瓷在日本申请的太阳能电池模块的三栅电极构造专利（专利号：4953562
PV65-0715《基于RGB的晶体硅太阳能电池颜色测试方法》、PV66-0715《太阳能电池电极栅线高宽比测试：激光扫描共聚焦显微镜法》和PV67-0815《晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法》的发布牌
700mV。这一结果经过了日本JET的第三方测试认证，标志着高效电池的研发又达到了新的里程碑。 首张多栅组件产品证书 全球光伏组件与零部件测试和认证领域领导者德国莱茵TV集团向天合设计的12栅线
（IBC）效率超过24%，达到24.13%，开路电压超过700mV。这一结果标志着高效电池的研发又达到了新的里程碑。全背电极电池与传统电池相比，尽管IBC电池正负极栅线均位于电池背面，无需考虑金属区的
5W以上，降本幅度可达 6.5分/瓦，性价比十分突出。 围绕着金刚线切多晶和湿法黑硅技术，共向市场提供三种不同的产品技术解决方案。第二代湿法黑硅技术的研发成功，对加速推广金刚线切多晶具有重要意义
更大的发电效率，且看上去更美观。在所有的单结晶硅电池种类中，全背电极电池(IBC)的工艺是最复杂的，结构设计难度也最大。与传统电池相比，尽管IBC电池正负极栅线均位于电池背面，无需考虑金属区的遮挡损失
。在硅片上掺杂和扩散微量的硼、磷等，就形成P－N结。然后采用丝网印刷，将精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂一层防反射涂层，电池片就至此制成。电池片排列组合
