索比光伏网讯:本文主要介绍HF/HNO3体系腐蚀的基本规律
HF/HNO3腐蚀体系在晶体硅太阳能光伏电池工艺上的应用：酸制绒、去背结和边缘结、背面抛光、选择性发射极电池
图1化学反应
各种反应条件对腐蚀的影响
(1)添加剂的影响：添加乙醇等可以减缓腐蚀速率；添加H2SO4或者H3PO4增加腐蚀的均匀性
(2)硅片表面形貌的影响：表面粗糙的硅片腐蚀速度比光滑的硅片大；多晶晶界刻槽
图2F.Book,S.Braunet.al,2010IEEE
(3)硅片掺杂浓度的影响：腐蚀速率随着掺杂浓度的增加而增加
(4)腐蚀液温度的影响：温度升高，反应速率增大；温度继续身高，反应容易失控
图3腐蚀深度随硅片掺杂浓度的变化曲线
(5)溶液扰动的影响：溶液中有扰动时，对富HF的体系，反应速度减小；对于富HNO3的体系反应速度增大
(6)HF与HNO3配比的影响：抛光和染色
图4抛光-染色反应的“边界”曲线
图5多孔硅poroussilicon
图6不同厚度多孔硅对应的颜色
图7硅片腐蚀深度与多孔硅厚度的关系
图8多孔硅形貌
图9去除多孔硅后的绒面形貌
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