（三）硅片切割生产工艺
硅片切割生产以单晶硅棒、多晶硅锭为原料，经截断、切方、滚磨平磨、切片、清洗加工等工序，即为成品硅片。硅片生产工艺流程图如下：
截断：单晶硅棒切去头尾部分，按线切割要求切割成相应长度的圆棒；
线切方：单晶圆棒切割成125ｍｍ×125ｍｍ准方棒；多晶硅锭切方成156ｍｍ×156ｍｍ的长方体多晶硅锭；
倒角滚磨：通过滚磨机对线切方后单晶硅棒进行表面滚圆、多晶硅锭进行倒角，加工成标准的规格；
切片：硅棒或硅锭通过表面处理、粘棒后，在线切机上利用钢线、金刚砂和悬浮液等辅料将硅棒切割成硅片；
硅片清洗：用纯水将切好的硅片去除胶水，用硅片专用自动超声波清洗机去除硅片表面的附着物，使硅片表面洁净，并进行烘干处理；
硅片检验：采用电阻率测试仪、寿命仪、氧碳测试仪等测试设备检测电阻率、少子寿命和氧碳含量，对几何尺寸和表面质量进行检验；
包装入库：将成品硅片用海绵一隔一叠放后，按顾客要求的数量打包入库。
（四）太阳能电池片生产工艺
通过对单晶或多晶硅片进行加工，可以生产出太阳能电池片，其主要生产工艺流程图如下：
清洗制绒：去除表面损伤层和污染层，并形成特定的表面起伏的绒面以降低反射率，增加光吸收。制绒步骤中，单晶硅和多晶硅由于材料性质不同分别采用碱和酸两种方式制绒，对于其他步骤单晶硅和多晶硅通用；
扩散：在Ｐ型衬底的硅片上，在高温下形成表面磷掺杂—Ｎ型，从而得到太阳能电池的关键部分ＰＮ结；目前采用ＰＯＣｌ3作为磷源，在卧式炉管中扩散；
边缘ＰＮ结刻蚀：去除硅片边缘的ＰＮ结，保证电池正负极间绝缘；
ＳｉＮ镀膜：在硅片表面生长一层氮化硅薄膜（ＰＥＣＶＤＳｉＮｘ：Ｈ）；保护层，由于ＳｉＮ薄膜本身的硬度高、致密性好的特性，可以在后道工序和使用过程中保护电池片表面不被损伤和污染；抗反射层，降低反射率，增加光吸收；
丝网印刷和烧结工艺：制作太阳能电池的正负两个电极；首先将金属图案分别印刷到电池的上下两个表面，然后通过高温热处理，使金属和硅形成欧姆接触，从而形成电池正负极；
测试分档：将最终的电池片产品，根据其光电转换效率（功率）和电性能，分成不同的档位；下游组件厂将进一步根据各档位电池片的功率和电性能，进行各功率档组件的制造，以满足终端客户的各种需求。
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