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盛能杰创新光伏逆变器亮相2017上海国际光伏展来源:索比光伏网 发布时间:2017-04-25 16:04:42

。 分布式光伏已经逐步融入普通人的生活,这对于逆变器的安全可靠性提出了更为严格的要求。盛能杰SE系列采用了铝制一体化压铸成型工艺,打破了传统焊接产品一致性和气密性的瓶颈,确保了逆变器防水、防尘的
2017年4月19日,中国上海讯盛能杰科技(深圳)有限公司首次亮相2017年上海国际光伏展,并隆重推出适用于分布式工商业屋顶、村级集中扶贫、大型地面电站的SE系列三相光伏并网逆变器,以及适用于分布式

盛能杰科技受邀参加第六届家用光伏系统代理商推广培训会来源:索比光伏网 发布时间:2017-03-28 17:38:39

了对盛能杰产品品质的信赖和认可。 创新的光伏逆变器核心技术 在会议主题演讲中,刘世德以盛能杰的经典产品SE系列组串式逆变器为例介绍了盛能杰创新的光伏逆变器核心技术。该产品凝聚了盛能杰最新的核心技术
成果,自去年11月上市以来,凭借高效节能的优势、安全可靠的品质以及友好智能的人性化设计得到了市场的认可与好评。 盛能杰光伏逆变器产品在结构设计、限流保护、驱动线路、效率提升、工艺创新等方面拥有多项

盛能杰携SE系列组串式逆变器亮相第六届家用光伏系统代理商推广培训会来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2017-03-28 17:02:08

对盛能杰产品品质的信赖和认可。创新的光伏逆变器核心技术在会议主题演讲中,刘世德以盛能杰的经典产品SE系列组串式逆变器为例介绍了盛能杰创新的光伏逆变器核心技术。该产品凝聚了盛能杰最新的核心技术成果,自
去年11月上市以来,凭借高效节能的优势、安全可靠的品质以及友好智能的人性化设计得到了市场的认可与好评。盛能杰光伏逆变器产品在结构设计、限流保护、驱动线路、效率提升、工艺创新等方面拥有多项核心专利技术

神华15亿投薄膜太阳能:奇葩买卖or布局未来?来源: 发布时间:2017-03-18 00:04:59

)。神华此次的投资方向,就是其中的铜铟镓硒(CIGS)。CIGS,是四种化学物质Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)的简称,通过共蒸发工艺在衬底上形成吸收层的太阳能电池技术。在三类薄膜产业化技术

神华投薄膜:奇葩买卖or布局未来?来源:能源评论 发布时间:2017-03-17 15:37:45

(a-Si)。神华此次的投资方向,就是其中的铜铟镓硒(CIGS)。 CIGS,是四种化学物质Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)的简称,通过共蒸发工艺在衬底上形成吸收层的太阳能电池

【焦点】神华集团联手上海电气押注薄膜太阳能电池来源: 发布时间:2016-12-29 09:59:59

等。图片来源:视觉中国CIGS薄膜太阳能电池,是指使用化学物质Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)通过共蒸发工艺在衬底上形成吸收层的太阳能电池技术,是目前商业化的薄膜太阳能电池技术之一
%,德国公司Manz AG现金出资1.84亿元,占比15%;北京未来科技城产业发展有限公司出资0.61亿元,占股5%。神华北京经营范围将涉及高效率光伏电池技术和工艺、下一代光伏技术及新产品的研发和销售

德Heliatek募八千万欧元发展有机太阳能电池来源:科技新报 发布时间:2016-10-08 14:41:08

(RWE)旗下可再生能源事业英诺吉(innogy SE),英诺吉自2009年起就开始投资Heliatek。前几轮就参与投资者,除英诺吉之外,还有德国化工大厂巴斯夫(BASF)等。此轮新加入的重要投资者则有
斯登建立卷对卷(roll-to-roll)工艺产能,完工时最大年产能可达100万平方米HeliaFilm有机薄膜太阳能电池。其使用的技术为低温真空层积寡聚物,与其他有机竞争对手主要使用需要有机溶剂的

【深度】三大光伏巨头高效技术路线大比拼来源: 发布时间:2016-08-10 00:17:59

采用选择性发射极结构产线效率达到21.4%,Trina 也采用此技术在中试线上小批量平均效率达到20.9%,最高效率达到21.4%。昱晶平均效率达到21.2%,最高效率达到21.4%。SE工艺路线有
。  两种工艺对比  第三、多晶PECR电池工艺,增加电池效率0.5-0.8%,组件功率满足领跑者更高一档要求,技术额外加分。  第四、PERC+黑硅+金刚线提供了平价上网的技术途径,是领跑者计划应该鼓励

国际光伏技术路线图详解:晶硅电池转换效率差异来源:王淑娟公众号 发布时间:2016-07-21 11:07:26

光生伏特效应的三大关键过程。 除了Si、Ge这样的单质半导体,还有化合物半导体(GaAs、Cu2Se等)乃至有机半导体材料,它们都可以制备成太阳能电池。因08年左右多晶硅材料的价格高涨,各种
再镀一层减反射膜。不同之处在于单晶硅片切割自单晶硅棒、多晶硅片切割自多晶硅铸锭。硅棒采取类似蓝宝石等单晶材料的生长方式,而Si锭的工艺路线类似钢铁材料,前者明显较后者更精致,得到的半导体杂质、缺陷更少

简析PID如何改善大型光伏系统性能来源:PV Tech PRO电站专刊 发布时间:2016-03-17 23:59:59

反射涂层的存在,所产生的电场抵消了钝化工艺,从而增加了表面重组、降低了功率输出。离子还可能扩散至硅层,造成发射区域反型,导致电池分流,如图一所示。同样地,在一些薄膜组件中,PID被与金属离子在边框和
,接地系统电源和逆变器类型可在极大程度上影响系统产生PID状况的难易程度。组件层级组件设计、所使用的玻璃和背板材料也可能会增加PID的易受性。在过去五年期间,很多机构,如Solon SE和PI