SE工艺

，太阳能集成技术公司开发了一种将层叠状太阳能材料改为膜状材料并用于商业建筑的新工艺。太阳能集成技术公司是最早批量生产薄膜光电池的公司之一。到2009年的时候，有多家大公司开始进军这一领域。关于建筑集成光电
电池CuInxGa(1-x)Se2的简写，其具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。小样品CIGS薄膜太阳能电池的最高转化效率2014年12月刷新为21.7%，由德国太阳能和氢能研究机构ZSW采用共蒸镀法制

材料制造屋顶的优势。在2001年的时候，太阳能集成技术公司开发了一种将层叠状太阳能材料改为膜状材料并用于商业建筑的新工艺。太阳能集成技术公司是最早批量生产薄膜光电池的公司之一。到2009年的时候，有多家
。 2.铜铟镓硒电池板。CIGS是太阳能薄膜电池CuInxGa(1-x)Se2的简写，其具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。小样品CIGS薄膜太阳能电池的最高转化效率2014年12月刷新为

开发了一种将层叠状太阳能材料改为膜状材料并用于商业建筑的新工艺。太阳能集成技术公司是最早批量生产薄膜光电池的公司之一。到2009年的时候，有多家大公司开始进军这一领域。关于建筑集成光电材料的应用还有
)Se2的简写，其具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。小样品CIGS薄膜太阳能电池的最高转化效率2014年12月刷新为21.7%，由德国太阳能和氢能研究机构ZSW采用共蒸镀法制备。大面积

Cu-In-Se（CIS）型太阳能电池迎来了重大转机。与现在市场上最大的多晶硅型太阳能电池相比，除了一直具有优势的价格竞争力之外，在转换效率方面也迎头赶上，正在逐步实现反超。 在2005-2010
前提进行开发。其他公司是先在实验室里开发出设计理想的元件，然后再着手开发量产技术。 还有一大因素，是我们采用了硒化法这种当时很少有人采用的活性层制造工艺。其他公司大多采用同时蒸镀法，或者源于印刷的

Cu-In-Se（CIS）型太阳能电池迎来了重大转机。与现在市场上最大的多晶硅型太阳能电池相比，除了一直具有优势的价格竞争力之外，在转换效率方面也迎头赶上，正在逐步实现反超。在2005-2010年
实验室里开发出设计理想的元件，然后再着手开发量产技术。还有一大因素，是我们采用了硒化法这种当时很少有人采用的活性层制造工艺。其他公司大多采用同时蒸镀法，或者源于印刷的制造方法，都失败了。重视在制造现场

索比光伏网讯:Cu-In-Se（CIS）型太阳能电池迎来了重大转机。与现在市场上最大的多晶硅型太阳能电池相比，除了一直具有优势的价格竞争力之外，在转换效率方面也迎头赶上，正在逐步实现反超。在
层制造工艺。其他公司大多采用同时蒸镀法，或者源于印刷的制造方法，都失败了。重视在制造现场的开发这一点也功不可没。具体来说，我们与爱发科等装置厂商合作开发了大部分的制造装置。最后一个原因是人才。在日本的

Cu-In-Se（CIS）型太阳能电池迎来了重大转机。与现在市场上最大的多晶硅型太阳能电池相比，除了一直具有优势的价格竞争力之外，在转换效率方面也迎头赶上，正在逐步实现反超。在2005-2010年
实验室里开发出设计理想的元件，然后再着手开发量产技术。还有一大因素，是我们采用了硒化法这种当时很少有人采用的活性层制造工艺。其他公司大多采用同时蒸镀法，或者源于印刷的制造方法，都失败了。重视在制造现场的

1839年人类首次发现光伏效应已来，各类半导体材料的使用（Se，Si，CdS，CdTe）、生长工艺的完善（如CZ直拉法、FZ浮区生长法）、制备技术的进步（减反膜、栅线电极、选区发射等技术的应用）使得
电池等百花齐放，各具优势，在技术工艺、转换效率上不断进步。可以说，科学技术的进步是光伏大发展的第一生产力。　　图表10：光伏电池效率发展历史2.1.2、制造成本从百美元/w到1美元/w的下降光伏电池能够

晶体硅太阳能电池包括单晶硅和多晶硅太阳能电池两种，生产工艺成熟，技术路线稳定，光电转化效率高，市场占有率高。实验室研发的钝化发射极背部局域扩散（PREI）单晶硅太阳能电池光转化效率已达到24.7%，商品化
工艺简单、耗能小、制造成本低廉、可大面积连续生产，在光伏领域引起极大关注。薄膜电池主要包括非晶硅薄膜电池和其他化合物薄膜电池两类。非晶硅的长程无序结构使其转变为直接带隙半导体，光吸收系数显著提高，相应的

包括单晶硅和多晶硅太阳能电池两种，生产工艺成熟，技术路线稳定，光电转化效率高，市场占有率高。实验室研发的钝化发射极背部局域扩散（PREI）单晶硅太阳能电池光转化效率已达到24.7%，商品化电池组件
转化效率较低。目前实验室研发的小面积多晶硅电池的光转化效率在20．3%，产业化后效率基本维持在12%左右。1.2 薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池厚度可降至几到几十微米以下，原料消耗率低、加工工艺简单