PVD设备

、PVD等生产设备并形成初步生产能力。PECVD、PVD设备是异质结电池片生产线中的核心工艺设备，用于制备P型或N型非晶硅和本征非晶硅薄膜等。项目计划总投资12588万元，预计使用本次募集资金9000万元

33,000万元，不足部分由公司以自有资金或通过其他融资方式解决。 根据公告，用于制备异质结和钙钛矿叠层电池的核心设备研发项目旨在研制、开发光伏异质结(HJT)用PEVCD、PVD等生产设备并形成初步

、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四个步骤，主要生产设备有清洗制绒机、PECVD、RPD/PVD以及丝网印刷机。目前，异质结产线设备较高，占据了异质结电池产品成本很大的比重，根据预测，异质结核心设备

《上方PVD镀膜设备助力HIT电池创造未来》。 文章信息显示，上方自2017年开始服务HIT客户以来，一直致力于开发更高产能低损伤的PVD镀膜设备以打破国外垄断，目前推出6000片/小时的新一代技术方案

，开始为 HIT 电池厂商提供包括 PECVD 在内的关键沉积设备，理想能源、捷佳伟创、金辰股份、迈为股份等均在积极进行 PECVD 设备研发。 3.4 TCO 膜沉积：PVD/RPD，短期内
;RPD 技术利用特定的磁场控制 Ar 等离子体的形状，从而产生稳定、均匀、高密度的等离子体，使用 IWO(氧化铟掺钨)靶材。 短期内 TCO 薄膜沉积的主流技术是 PVD，设备产能

和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节， 钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得

PVD 制备的ITO薄膜。RPD 制备下的异质结电池总体比PVD约有0.5~1%的效率优势。松下公司采用的就是RPD工艺。住友重工持有RPD设备与IWO靶材两项专利技术，限制了该技术的发展。国内

)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤

的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下： 01、制绒清洗机 ： 电池