PECVD
)。
HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全
进口设备方案，配套PECVD及RPD的单位投资成本约为10亿/GW。
自531新政发布以来，光伏产业链各环节价格已降低了30%-40%，光伏平价上网加速推进中。同时受下游光伏企业对光伏电池降本增效的
HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
如下：
01
制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02
等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积
逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型
HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
如下：
01、制绒清洗机 ：
电池正反面制绒
02、等离子体增强化学气相(PECVD)
沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，
沉积反面沉积本征
突破 23.5%，研发效率方面，宁波材料实验室针对 PECVD 工艺路线开发出了效率 24.27%的 N 型 TOPCon 电池;其二，关键的薄膜沉积国产设备效率取得进一步进展，据 PV
的关键：这一步骤的作用在于实现异质结界面的良好钝化，以获得高效率的异质结 电池。本征非晶硅薄膜沉积采用化学气相沉积法，根据所用设备的不同，可分为PECVD和HWCVD两种，目前PECVD 为主流路线
PECVD的市占率均超过50%;公司完全掌握了MWT. N-PERC、 TOPCon等技术，并对下一代电池技术HIT深入研究。 配套辅料： 福斯特：全球光伏封装材料EVA胶膜和PO胶膜的龙头，EVA胶膜
166mm大硅片。对于电池环节的主要管式设备扩散炉和PECVD，由于扩散炉的管径最小为290mm，可满足M6硅片223mm的外径尺寸，若兼容M6硅片，还需要在石英舟上进行合理的设计。
提升扩散炉M6大硅片的
内径290mm的扩散炉来说是可行的。
而对于PECVD石墨舟的合理设计，其与扩散炉的情况有些不同，由于石墨舟分为立式和卧式两种，因此只需硅片边距小于PECVD炉管内径即可，将硅片边距由
、离子镀、RPD反应离子沉积等)、CVD(PECVD、LPCVD等)和ALD原子层沉积等真空镀膜设备上拥有先进技术和高端装备制造经验，形成工艺研究设备、规模化产线设备系列化产品，广泛应用于光伏、半导体、显示、纳米科技、化工、制药等领域，并拥有GW级光伏电池产线核心技术和设备制造经验。
PECVD、PVD等核心生产设备，是全球仅有的几家掌握高效异质结太阳能电池技术(HDT)的企业之一，公司自主研发的HDT电池具有转换效率高、双面发电、高温特性好等特点，深受客户好评，具有广阔的未来发展前景。
异质结是光伏行业的第五次技术革命。相较于传统电池，异质结电池生产工艺步骤大幅减少，主要工艺仅4步，分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应设备为制绒机、HWCVD/PECVD
)丝网印刷设备
捷佳伟创异质结电池全工序装备总结
制绒设备，在洁净度、能耗、智能制造等方面全面提升
PECVD反应腔无托盘设计，没有交叉污染问题进而提高Voc
RPD比SPT效率高
